内存延迟怎么计算

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一、内存延迟是什么及表示方法介绍内存延迟是由于等待对系统内存中存储的数据的访问完成而引起的延迟。基本问题是处理器（例如Intel®Xeon™处理器）的时钟频率接近4GHz，而内存芯片的时钟频率仅为400MHz（例如DDR3200内存），时钟速度比为10:1。因此，当处理器需要内存高速缓存之外的数据项时，每个周期必须等待10个时钟周期，以便内存芯片完成数据的获取和发送。通常，这些获取需要多个内存周期来检索，然后需要更长的时间才能遍历到处理器的路径。这意味着检索数据需要数百个处理器时钟周期，在此期间应用程序无法处理任何其他任务。
内存延迟表示系统在进入数据访问操作的就绪状态之前等待内存响应的时间，通常用四个连续的阿拉伯数字表示，例如“3-4-4-”。8”。一般来说，越靠后的四个数字越大，这四个数字越小，内存性能越好。由于不存在低于2-2-2-5的延迟，国际内存标准组织认为当前的动态内存技术无法实现0或1延迟。但这并不意味着延迟越小，内存性能就越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个值一起使用，相互影响程度非常大，并是说性能就越高值最大时是最差的，所以合理的ratio参数非常重要。
第一个数字最重要，表示注册读指令到第一个输出数据之间的延迟（CASLatency），即CL的值，单位是时钟周期。这是纵向寻址脉冲的响应时间。
第二个数字代表内存行地址控制器预充电时间（RASPrecharge），即tRP。指内存访问行结束和重新启动之间的时间间隔。
第三个数字表示内存行地址到列地址的延迟时间（RAStoCASDelay），即tRCD。
第四个数字表示Act-to-PrechargePrechargeDelay(tRAS)存储器行地址控制器激活时间。
选择购买内存时，最好选择CL设置相同的内存，因为系统中混合了不同速度的内存，系统运行速度会变慢。同时使用CL2内存时，当插入主机后，系统会自动使两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费。

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二、海力士内存参数2GB1Rx16PC3L-12800S-11-12-c3

内存容量为4GB。

1Rx8表示内存件数量，即1*64/8=8
MT451S6AFR8A-PBNOAA1326为生产批号。

PC3L-12800s表示DDR3内存的低电压版本（PC3表示DDR3，L表示低电压内存。）DDR3L低电压为1.35V。

海力士内存DDR3PC3L1600MHz。

这款内存为4GDDR31066MHzSO-DIMM规格，采用标志性的hyperX蓝色散热器。它针对高性能和低延迟游戏用户进行了高度优化-15@1.5v。

扩展信息：

对于100MHz系统，系统时钟周期为10ns。

粗略计算：读取数据的总延迟时间=CASLatency延迟+访问时间。

例如：HyundaiPC-100SDRAM，访问时间为8ns，模式为CL2。所以总延迟时间=2x周期+访问时间=2x10ns+8ns=28ns

如果SDRAM运行在CL3模式下，访问时间为6ns。这样，总延=3x10ns+6ns=36ns

显然，当SDRAM运行在CL2模式下时，其速度完全比CL3模式快。

参考来源：-海力士