内存延迟是什么意思(内存延迟是什么)

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一、什么是CL值和内存延迟时间?

CL值：CL代表CASLatency，它是内存性能的一个重要指标，它是内​​存纵向地址脉冲的响应时间。当计算机需要从内存中读取数据时，在实际读取之前通常会有一个“缓冲期”，“缓冲期”的长度就是这个CL。

内存的CL值越低越好，因此缩短CAS周期有助于加快内存在同频率下的工作速度。这个CL值还和同内存的运行频率有关，比如图中的DDR333内存，CL值为2.5，如果运行频率为266，则CL值可以设置为2。

详细解释

内存延迟有一个专门的术语，称为“Latency”。为了清楚地理解延迟，我们还可以把内存想象成一个存储数据的数组，或者一个EXCEL表来确定每个数据的位置，每个数据都标有行号和列号，在指定行之后，在序号列之后，数据是唯一的。

内存工作时，当要读取或写入某些数据时，内存控制芯片会先发送数据线的地址，并激活RAS信号，然后转换到数据线，必须经过几个执行周期后，信号CAS才会被激活。

以上内容参考：-内存延迟

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二、内存延迟是什么以及对内存性能的影响介绍

在使用或使用记忆棒时，您可能会注意内存容量，例如1G内存或2G内存。这对每个人都很重要。然而，容量并不是决定内存性能的唯一因素。实际上有很多参数，包括内存延迟，我们将在本文中介绍。

如果您细心的话，您会注意到记忆棒包装上以及内存上的贴纸或丝印上有一串数字。例如，配置为9-9-9-25。有的经销商可能还会解释一下这款内存的参数。那么问题来了：什么是内存延迟？它对内存性能有多大影响？

内存延迟定义：系统准备好进行数据访问操作的状态，表示等待的时间量。进入前的记忆反应。这由上面的四个数字表示：9-9-9-25，no。段号代表不同的含义：

第一个数字代表内存读取数据所需的延迟时间（CASLatency，通常称为CL值）。

第二个数字代表：内存行地址到列地址延迟（tRCD）

第三个数字表示内存行地址控制器预充电时间（tRP）。也就是说，内存从行访问结束时开始。重新启动之间的间隔

第四个数字表示内存行地址控制器激活时间（tRAS）。

当然，低延迟固然是好事，但现在内存已经进入DDR3时代，速度猛涨，内存延迟对性能的影响已经变得可以忽略不计，一些低延迟内存结果。可能不如高延迟内存结果好。

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三、内存延迟的简介

内存延迟表示系统在进入数据访问操作就绪状态之前等待内存响应的时间量，通常用四个连续的阿拉伯数字表示，例如“3-4-4-8”。数字的值越大，这四个数字越小。内存性能越好。由于没有低于2-2-2-5的延迟，国际内存标准团队认为，当前的主动内存技术无法实现0或1延迟。然而，延迟越小，并不是说内存性能就越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个值一起使用，相互影响程度很大，所以不是；因为当值最大时性能最差；比率参数非常重要。
第一个数字最重要，表示读取命令和第一个输出数据注册之间的延迟（CASLatency）。即CL为数值，单位为时钟周期。这是纵向寻址脉冲的响应时间。
第二个数字表示内存行地址到列地址的延迟时间（RAStoCASDelay），即tRCD。
第三个数字表示从存储器行地址控制器预充电时间（RASPrecharge），即tRP。指内存访问行结束与重新启动之间的时间间隔。
第四个数字表示内存行地址控制器激活时间Act-to-PrechargePrechargeDelay(tRAS)