4内存超频的成功与否不仅取决于内存颗粒能否经受住高频的考验,时序的调整也非常重要,如果把读写内存视为流水线作业,时序的调整也非常重要。就像他们每个人一样。调整每个链接所需的时间。只有懂得调内存的高手,才能真正发挥内存的全部潜力。
CL值简称为memoryCASlatency,是内存的重要参数之一。有些品牌的内存会打印CL值RastoCASdelaytRCD,即内存行地址。在内存模块的标签上。延迟时间换算为列地址amd显卡修改显存时序方向盘音量调节方法105变速调节指南
如果想进一步提高内存性能,并且主板BIOS提供了修改内存SPD时序参数的功能,可以尝试降低tCAStRCDtRPtRAS等四个选项的值BIOS出于稳定性原因,不建议对内存进行超频并根据需要更改内存时序参数。
1将内存延迟设置得较低例如DDR2800内存可以设置为44410,频率较高的内存可以设置为55515,CMD参数设置为1T并通过测试检查。软件。内存是否能稳定工作2、降低参数延时后内存是否不稳定。
设置ddr3内存第二时序的方法如下:1SDRAM行刷新周期该值对内存带宽影响较大。通常设置为60。放宽该参数可提高内存超频频率,例如当DDR3内存超频到2000MHz以上频率时,建议将该值放宽至88或2个写恢复延迟以上。
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