内存超频cl值怎么调(内存超频只调倍频)

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一、内存时序怎么调详解内存时序调整方法？内存时序是指读写内存时的延迟时间，包括CL（CASLatency）、TRCD（RAStoCASDelay）、TRP（RASPrechargeTime）等参数。这些参数可以通过调整内存时序来提高内存性能。
以下是设置内存时序的步骤：
1.进入BIOS设置：根据主板和计算机型号的不同，进入BIOS设置的方法可能有所不同。通常，您在打开计算机时需要按特定的键，例如F2、F12或删除键。在BIOS设置中，找到“Advanced”或“Memory”选项，进入内存时序设置选项。
2.设置CL（CASLatency）：CL是读写存储器时的延迟时间，表示从发出读命令到第一次读取数据的时间。您可以通过调整CL值来提高内存性能。一般来说，较低的CL值会带来较高的性能，但也会增加延迟。因此，您需要对其进行修改以适合您的具体情况。在BIOS设置中，找到修改CL值的选项，根据自己的需要进行调整。
3.设置TRCD（RAStoCASDelay）：TRCD表示从RAS（行标题选择）信号到CAS（列标题选择）信号的时间。这段时间的长短会影响内存读写的速度。您可以通过调整TRCD值来提高内存性能。在BIOS设置中，找到修改TRCD值的选项，根据自己的需要进行调整。
4.设置TRP（RASPrechargeTime）：TRP表示RAS信号预充电所需的时间。在对存储器进行读写之前，必须进行预充电操作，以清除之前的电荷。您可以通过调整TRP值来提高内存性能。在BIOS设置中，找到修改TRP值的选项，根据自己的需要进行调整。
需要注意的是，不同类型的内存和不同的计算机配置可能需要不同的值来设置最佳内存时序。因此，您需要根据您的具体情况进行调整，并在测试中进行适当的改进。

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二、给内存超频，怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行？当频率为主要因素时，应适当调整cl值。如果不稳定，可以增加总值（这是四个时间元素中的最后一个条目）。调整到基本最大频率后，可以尝试将电压提高到更高频率DDR3为1.65v，DDR4为0.5v。通常，频率值增加一级（每级大约相隔266MHz），并且cl值增加1。（这适用于相同的内存。）例如ddr31600mhzcl9内存一般超频到2133mhzcl11，但当然也可以超频到1866mhzcl10。(1600-1866-21339-10-11)如果电压更高，请尝试增加电压。
最重要的当然是身体问题。目前最好采用三星b-die芯片内存，比如3000mhz频率的cl14，其次是3000mhzcl16。最好的ddr3是美光的1600mhz、cl8、1.35v，超频到2133mhz（1.5v时）就只有cl9，相当强大。

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三、内存怎么超频？BIOS有许多与内存相关的参数，可以通过优化这些参数来超频内存并提高系统性能。
步骤1启动计算机，按Del键进入BIOS设置主界面。
步骤2在主菜单中选择AdvancedChipsetFunctions选项并检查内存设置。“SDRAMCASLatencyTime”（内存CAS延迟时间）参数用于SDRAM内存。CAS信号延迟时间长度有3个选项：AUTO/3/2。
普通兼容存储器通常只能工作在CL=3（CAS信号延迟时间为3个时钟周期）模式下。
如果内存质量比较好（尤其是Kingmax等知名品牌），CL=2（CAS信号延迟时间为2个时钟周期）就可以正常工作并显着提高性能。
Step3接下来是“SDRAMCycletimeTras/Trc（内存Tras/Trc时钟周期）”的设置项。该参数用于确定SDRAM存储器行激活时间和行周期时间的时钟周期数。
步骤4激活时间和周期数越小，存储器读取速度越快。如果你的内存质量好，可以把此项设置小一些，设置为5/7会加快速度。