名人堂内存超频时序(内存超频3600时序)

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一、关于内存超频时序问题正确的！节奏越低越好，但这取决于频率。内存超频后，时间会增加。DDR2的5-5-5-15可以超频到800Mhz，800Mhz默认也有这个时序。
默认时序DDR3-3-3-9-2T(400Mhz)
默认时序DDR25-5-5-15-2T(800Mhz)
默认时序DDR39-9-9-27-1T(1600Mhz)
1T和2T的区别相反：1T延迟较小，速度高，稳定性低。2T时延大、速度低、稳定性高。
DDR3的1T基本上很稳定，默认值也是1T。DDR2在使用1T时会出现死机或者蓝屏，稳定性较低。
还有内存的NB频率。值越高，记忆越有效。但等级越高，就越不稳定。
我使用DDR31333Mhz超频到2000Mhz，并将时序增加到11-11-11-28-80-1T。双通道稳定，没问题。频率越高，数据带宽就越高。
超频内存的人相对较少。他们一般都会对CPU玩家进行超频，而不注意内存时序。因此，内存必须要超频才可以超频。

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二、内存超频的话，时序是怎么样的？

对于相同频率的存储器，时序越低越好。

时序中的CL-TRCD-TRP(11-11-11)表示11个柱。1600MHz内存中的默认时序为11-11-11，1333MHz内存中的默认时序为9-9-。9，因此具有9-9-9时序的1600MHz内存比具有11-11-11时序的1600MHz内存更快。谢谢。平时超频时，除了将频率从1333MHz改为1600MHz外，专家还会改变时序。

基本解释

一般数字“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义为：CASLatency(CL值简称）内存CAS延迟时间，它是重要的内存参数之一。某些内存品牌将CL值打印在内存模块标签(tRCD)上。地址传输到列地址的延迟时间。

RASPrechargeDelay（tRP），存储器行地址选通脉冲预充电时间；RowActiveDelay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关心的四个时机调整。它们可以在大多数主板的BIOS中设置。内存模块制造商还计划发布低于JEDEC认证标准的低延迟内存模块。

在相同频率设置下，“2-2-2-5”的最小串行时序内存模块实际上可以比“3-4-4-8”实现更高的内存性能，范围为3最多5个百分点。