内存超频3200时序(3200内存超频到3600电压多少)

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一、金士顿3200超频3600最佳时序18-22-22-42。
金士顿3200内存超频至3600时，最佳时序设置为18-22-22-42。内存模块的CAS延迟(CL)设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟(tRCD)设置为22个时钟周期，行预充电时间(tRP)设置为22个时钟周期，行激活设置为预充电时间。(tRAS)设置为42个时钟周期。您可以在保持稳定性的同时获得更高的性能。

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二、三星金条超频2133的时序是多少LGDDR3金条的主频通常为2133MHz，时序通常在10-10-10-24-34左右。
不过，这取决于主人手中内存的质量，不能被生成。。

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三、3200内存时序多少正常38-18-16-16.3200内存的标准工作电压为1.35V，正常时序为38-18-16-16。内存时序是描述同步动态随机存取内存(SDRAM)性能的四个参数之一。

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四、镁光3200最佳时序Micron3200的最佳时机是第二个时机。根据查询到的相关资料，从第一个时序开始，一般可以通过放大tRFC和tREF来实现更高的频率。DDR4内存与DDR4和DDR42内存不同。第一个时序的CR对内存频率和性能影响不大。ddr4第三时序的tRTP、tRTW、tWTR对性能影响不大，可以适当调节，以提高超频后的性能。，tRRD对性能影响较大，所以不要牺牲tRRD而不是频率。