内存trfc设置多少

---

一、内存超频trfc要不要调通常存储在存储卡的SPD中的参数。
数字2-2-2-84的含义如下：CASLatency（缩写为CL）内存CAS延迟时间，它是重要的内存参数之一。有些品牌的内存有CL值。印在内存模块标签上。RAS-to-CAS(tRCD)，将内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-prechargeDelay(tRP)，存储器行地址选通脉冲的预充电时间。Row-activeDelay(tRAS)，内存行地址选通延迟。这是玩家最关心的四种同步设置。它们可以安装在大多数主板的BIOS中。内存制造商还计划发布低于JEDEC认证标准的低延迟超频内存模块。设置如下：最小时序为“2-2-2-5”的内存模块实际上可以比“3-4-4-8”获得更好的内存性能，幅度为3到5个百分点。DDR400，同步，然后慢慢提高外频，找到CPU限制，找到后看看是否可以用在DDR533上。总体来说，DDR667可以稳定运行在DDR720上，我还好。我的AM23000+、ABITKN9、ADATA512M成功突破300X9，内存设置为DDR533，实际运行频率为DDR720。日期15-5-5-51T

---

二、ddr3内存时序值多少最好

TRFC值是第二个小参数，代表刷新时间。

DDR3内存的价格通常在90-120之间。低于80，可能会导致不稳定。CL、tRCD、tRP、tRAS称为初始矩，对粒子性能影响最明显、最重要。

主要是内存时序（英文：Memorytimings或RAMtimings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS以及单位时钟周期。

显然，计算机要正常工作，对各种操作信号的产生时间、稳定时间、取消时间以及相互通讯都有着严格的要求。对操作信号进行时序控制称为时序控制。只有严格的时间控制才能保证各个功能单元有机的计算机系统。

扩展信息：

影响内存时间的因素：

内存时间......转换为实数时最重要的内存组件它们是时钟周期。如果不知道时钟周期时间，就不可能知道一组数字是否比另一组快。

例如，DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。基于这个1ns时钟，CL=7给出7ns的绝对延迟。更快的DDR3-2666（时钟1333MHz，每周期0.75ns）可以使用更大的CL=9，但6.75ns的绝对延迟很短。

现代DIMM包括串行可用性检测器(SPD)ROM芯片，其中包含用于自动配置的推荐内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（冒着降低稳定性的风险）或有时提高稳定性（例如，使用推荐的时序）。

注意：内存带宽是内存大小的衡量标准，通常受到传输速度而不是延迟的限制。通过绕过对SDRAM多个内部存储体的访问，可以实现连续高速传输。增加带宽可能会以增加延迟为代价。特别是，每一代新一代DDR内存都具有更高的传输速率，但绝对延迟并没有明显变化，尤其是市场上的第一代新一代产品，通常会比上一代有更长的延迟。

尽管内存延迟增加，但增加内存带宽可以提高具有多个处理器或多线程执行的计算机系统的性能。更高的带宽还可以提高无需专用视频内存的集成显卡的性能。

参考来源：-内存时序

参考来源：-时序控制

---

三、请问内存tRC和tRFC对应关系RowCycleTime(tRC)
Settings=Auto，7-22，步长为1。
该参数用于控制内存的行循环时间。tRC确定完成一个完整周期所需的最小周期数，即从行激活到行充电的时间。根据方程，tRC=tRAS+tRP。因此，在设置tRC之前，必须参考tRAS和rRP的值。如果行周期时间太长，则在完成一个周期后激活新行地址将会出现延迟。然而，太短会导致激活的行在开始下一次初始化之前就充满电，这可能会导致数据丢失或覆盖。一般情况下，根据tRC=tRAS+tRP将tRC设置为较低的值。例如，如果tRAS为7个时钟周期，tRP为4个时钟周期，则理想的tRC值为11。
影响：主要影响稳定性和内存带宽
推荐设置：7为最佳性能，15-17为超频推荐参数，可从16逐渐降低直至稳定。记住公式tRC=tRAS+tRP。
RowRefreshCycleTime(tRFC)
Settings=Auto，9-24，步长为1。
此设置表示刷新单个数据所需的时间排在同一银行。它也是同一存储体中两个刷新指令之间的间隔。tRFC应高tRC。
影响：主要影响内存带宽和稳定性。
推荐设置：通常无法达到9，10是最佳设置。17-19是内存超频的推荐值。可以从17开始，逐渐向下调整。最稳定的值是tRC加上2-4个时钟周期。
RowtoRowDelay（又称为RAStoRASdelay）(tRRD)
Settings=Auto,0-4,step1
该参数表示连续的最小值激活指令与存储器行地址之间的间隔，即预充电时间。延迟越低，激活下一个存储体进行读写操作的速度就越快。但由于需要一定量的数据，过短的延迟会导致数据持续膨胀。对于台式机，建议使用2个时钟周期的延迟，此时的数据扩展可以忽略。将tRRD设置为2可以提高DDR内存的读写性能。当2稳定时，应该设置为3。
影响：轻微影响内存带宽和稳定性和质量
推荐设置：00是最好的性能参数，4可以内存超频时达到最高频率。通常2是最合适的值，00看起来很奇怪，但有些人可以稳定运行在00-260MHz。
此页面上还有其他指标可供您学习。