内存vref电压

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一、我想测下内存电压谁能告诉我怎么测一般情况下，可以使用AIDA64软件来检查电压。
硬件可以使用内存来识别卡并知道电压。
如果使用万用表，则使用以下方法：
1DDR3的核心电源为1.5V，可接51、170。通过197PIN测量
2。DDR3的负载电源VTT_DDR为主电源的一半（0.75V），在120和240PIN
3上测得3.3V，在236PIN
4上测得。DDR3的参考电压VREF为0.75V，可以在1.67PIN处测量
5在63、64、184、185PIN处测量。电压或波形在计算机上测量。有些主板如果不装内存就没有时钟DDR3的电压为1.5V，可以在168PIN7上测量。DDR3的系统管理总线SDA和SCL分别可以测量238和118PIN上的3.3V电压。

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二、ddr2和ddr3的区别能不能一起用（ddr2和ddr3的区别）

探索DDR2和DDR3之间的差异：它们可以共存吗？

DDR2和DDR3这两种内存技术的冲突引发了关于兼容性和性能的热烈讨论。我们来一一描述它们的特点和设计改进。首先，DDR3和DDR2在逻辑Bank数量上有所不同：DDR2提供了4Bank和8Bank的选择，以满足大容量的需求，而DDR3则从8Bank开始，为未来的16Bank做准备，可见其未来的愿景。自然。

封装技术的创新：DDR3的新特性带来了管脚数量的增加。-球FBGA规格。DDR3绿色包装不需要任何有害物质，环保理念体现在每一个细节中。

突发长度和控制灵活性：DDR3领先8位，突发传输时间固定为8，4位BurstChop模式允许通过A12地址线进行8位突发。相比之下，DDR3中禁用了DDR2突发中断功能，并由动态突发传输控制器取代。

寻址和时序方面的改进：DDR3的寻址时间明显长于DDR2，CL周期范围得到扩展，AL设计也发生了变化。全新写入延迟CWD根据操作频率进行调整，带来更精准的性能控制。

复位功能简介：复位功能作为DDR3的核心创新，带来了特定的引脚，方便内存初始化。在复位命令下，存储器进入最低活动状态以节省电力。

ZQ校准：新的ZQ引脚用于调整DDR3中数据输出驱动器的电阻，该电阻由片上校准引擎自动调整以确保最佳性能。

在信号处理上，DDR3将VREF电压分成两个独立的信号VREFCA和VREFDQ，以提高数据总线的信噪比。此外，温度自动刷新（ASR）设计带来了节能和数据保护之间的平衡。

部分自刷新和点对点连接：DDR3的部分自刷新允许部分存储体刷新以节省电量。点对点通信有利于内存控制器和内存模块之间的通信，从而提高系统性能。

虽然DDR3在封装、控制和性能上有了显着的改进，但与DDR2的兼容仍然需要考虑两者之间的兼容性和系统配置。某些DDR3功能（例如P2P连接和部分刷新选项）可能需要特定的系统配置。因此，是否一起使用它们取决于您的硬件兼容性和具体需求。

最新的DD3设计在电源管理和多功能存储方面进行了创新，但这些功能仍处于讨论阶段，并未广泛部署。总体而言，DDR3以其先进的功能引领着内存技术。