ddr3内存条(ddr3l有没有16g内存条)

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一、内存条DDR2和DDR3有啥区别，分别用于什么DDR3和DDR2有几个主要区别：
1突发长度(BL)
由于DDR3的预取是8位，所以突发传输周期(BurstLength，BL)也固定为8。DDR2和早期DDR架构系统中，BL=4还常用来添加4bitBurstChop（突发突变）模式，该模式由一个BL=4读操作加上一个BL=4写操作用来合成一个数据串行传输。BL=8，这种串行模式可以通过A12地址线控制。并且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中被禁止和不支持，并将被更灵活的突发传输控制（如4位顺序突发）所取代。
2.寻址时间（时序）
正如DDR2从DDR过渡后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期相对于DDR2也会有所改善。DDR2的CL范围通常在2到5之间，而DDR3的CL范围在5到11之间，并且附加延迟（AL）的设计也发生了变化。DDR2中AL的范围是0~4，而DDR3中AL有3个选项，分别是0、CL-1和CL-2。此外，DDR3还增加了一个新的时间参数——写入延迟（CWD），该参数将根据具体的工作频率来确定。
3新的复位功能
复位是DDR3中一个重要的新功能，为此专门准备了一个引脚。DRAM行业早就要求增加这个功能，现在终于在DDR3上实现了。该引脚将使DDR3初始化过程变得简单。当复位命令有效时，DDR3内存将停止所有操作并切换到最小活动以省电量。
在复位期间，DDR3内存将关闭大部分内部功能，所有数据接收器和发送器将被关闭，所有内部程序单元将被复位，DLL（延迟锁定环）和时钟电路将停止工作，并忽略数据总线上的任何移动。这样，DDR3就会达到最省电的目的。
3增加ZQ校准功能
ZQ也是一个新引脚，该引脚连接了一个240欧姆的低容差参考电阻。该引脚使用命令集，通过片上校准引擎（On-DieCalibrationEngine，ODCE）自动验证数据输出驱动器的导通电阻和ODT终端电阻值。当系统发出该指令时，将使用相应的时钟周期（启动和初始化后为512个时钟周期，自更新操作完成后为256个时钟周期，其他情况为64个时钟周期）。电阻被重新校准。
5参考电压分为两个
在DDR3系统中，对于内存系统的运行非常重要的参考电压信号VREF会被分为两个信号，即VREFCA。为总线服务提供命令地址信号和数据VREFDQ，这将有效提高系统数据总线的信噪比。
6点对点（P2P）
这是为了提高系统性能而做出的重要改变，也是DDR3和DDR2之间的一个关键区别。在DDR3系统中，内存控制器仅处理一个内存通道，并且该内存通道只能有一个插槽。因此，内存控制器和DDR3内存模块具有点对点（P2P）关系（单个物理Bank）。模块），或点对两点（P22P）关系（具有双物理组的模块），从而显着减少地址/命令/控制和数据总线上的负载。说到内存模块，与DDR2类别一样，也有标准DIMM（台式机）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）和FB-DIMM2（服务器），其中包括第二代FB-DIMMAMB2（高级）将使用更高规格的MemoryBuffer）。
64位架构的DDR3显然在频率和速度上更有优势，此外，由于自动自我更新和基于温度的部分自我更新等其他特性，DDR3也有更好的优势，因此很可能首先在移动设备中流行，就像DDR2内存首先不是被台式电脑而是被服务器所接受一样。在CPUFSB提升最快的台式电脑中，DDR3的前景也是光明的。目前英特尔推出的新芯片BearLake将支持DDR3规格，AMD也有望在K9平台上同时支持DDR2和DDR3规格。

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二、DDR3内存频率都是有多少的,工作电压是多少?

DDR3内存电压通常为1.5V，频率为8001066120013331600。

DDR3内存在降低功耗的同时实现了更高的带宽，但其核心工作电压已从DDR2的1.8V降低至1.5V，预计比DDR3可节省30%的功耗。对于当前DDR2使用情况，无需担心热量值。

DDR3-800相比DDR2-800产品在带宽和功耗之间取得了平衡。1066和1333功耗比为0.72X；分别为0.83X和0.95X。内存带宽得到了很大的提高；功耗性能也优于上一代

扩展信息：

DDR3性能优势：

1.低功耗与发展热度：吸取DDR2的教训；基于成本控制、降低功耗和发热量，DDR3越来越被消费者和制造商接受。

2.更高的工作频率：由于功耗降低，DDR3可以实现更高的工作频率，这在一定程度上弥补了延迟较长的缺点。显卡的权衡这一点已经在配备DDR3显存的显卡中得到了证明。

3.降低显卡整体成本：DDR2显存芯片大多为16MX32bit，需要8128MB显存，这在中高端显卡中很常见。DDR3显存芯片的规格通常为32MX32bit，一颗芯片的容量为128MB，有四颗大芯片。

参考：-DDR3