内存条的时序和高时序(内存时序19-19-19-43)

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一、内存时序高好还是低好

内存时序（英文：Memorytimings或RAMtimings）由四个描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的参数组成：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。那么内存时序是高好还是低好呢？

内存时序

1.对于相同频率的存储器来说，时序越快、灵敏度越低越好。

2.石狮青线中的CL-TRCD-TRP(11-11-11)显示11个柱。1600MHz内存中的默认时序为11-11-11、1333MHz-9。

3.因此，具有9-9-9时序的1600MHz内存比具有11-11-11时序的内存更快。

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二、内存时序低好还是高好？低内存时间很好。

内存时序描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数是CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。它们通常写为由连字符分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数Commandrate，常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数定义了影响随机存取存储器速度的延迟（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：访问列地址的延迟是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间只是近似值，这就是为什么少量改变这个值不会显着改变内存性能。

tRP（RASPrechargeTime）：存储器行地址选通脉冲预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址的活跃时间可以简单理解为写入内存或从内存读取的时间。

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一、内存时序高好还是低好低内存计时很好。
在内存规格中，较低的时序数通常意味着更快的响应时间和更高的性能。在选择内存时，如果参数相同，低时内存通常是更好的选择。例如，CL16内存比CL22内存具有更低的延迟，理论上可以提供更快的性能。
内存，又称内存储器，是CPU可以直接访问、能够快速访问程序和数据的物理载体。内存主要用于存储CPU中的临时计算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据，该内存的大小和性能影响机器的整体性能。在最初的个人电脑中，内存以DIP芯片的形式直接安装在主板的DRAM插槽中，直到Intel80286处理器的出现，无论是硬件还是软件都需要更多的内存，于是记忆棒诞生了。从286时代的30pinSIMM内存、486时代的72pinSIMM内存，到奔腾时代的EDODRAM内存、奔腾2时代的SDRAM内存，再到奔腾4时代的DDR内存和9X5平台的DDR2内存，以及DDR5、HBM内存等，内存从规格、技术、总线带宽等演变而来。总是更新。然而，内存升级实际上总是在变化，目的是增加内存带宽以满足不断增长的CPU带宽需求，并避免成为高速CPU运算的瓶颈。