SK海力士近日宣布,不仅将提高第一代10nm级DRAM产能,还计划推出第二代——今年下半年推出基于10nm的DRAM内存芯片。
SK海力士首款1ynm产品将是8GbDDR4-3200内存,据称采用该技术后,芯片尺寸将缩小20%,功耗将降低15%。%,反映了显着的技术进步。
该芯片特别引入了四级时钟机制,以增强信号强度并保持高频工作稳定性,并且还采用感应放大控制(SAC)技术,有效减少对晶体管收缩。
值得注意的是,SK海力士计划采用1ynm工艺生产包括DDR5、LPDDR5和GDDR6在内的多种类型的内存,这表明该公司的新工艺具有广泛的应用前景。前瞻性规划。
事实上,SK海力士作为内存行业三巨头之一,是最新广泛采用1ynm工艺的制造商,而三星和美光去年就已经采用了这一先进技术。。
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