超频内存时序怎么设置好(内存条时序超频怎么设置)

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一、内存时序怎么调
内存时间与内存读取速度密切相关，但相信大多数人都不知道内存时间是可以手动调节的，所以实际上我们只需在BIOS的设置中进行调节即可。
如何调整内存时间：
首先重新启动电脑，按logo界面上的热键进入BIOS设置。[热键列表]
输入后，找到“高级选项”进入，这里是“高级”
输入后，先将“DRAMTimingSelectable”更改为“手动”（这里的选项可能不同，尝试找一个与时间或可以更改为或稍后启用）
启用时间调整后，将多出以下4个选项。
5只需将这些内存时间更改一一选择即可，更改后不要忘记保存它们。
其实不需要手动调整当前的记忆时间，它会自动调整。br

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二、金士顿3200超频3600最佳时序18-22-22-42。
金士顿3200内存超频至3600时，最佳时序设置为18-22-22-42。内存模块的CAS延迟(CL)设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟(tRCD)设置为22个时钟周期，行预充电时间(tRP)设置为22个时钟周期，并且激活预充电时间线(tRAS)）。设置为42个时钟周期。您可以在保持稳定性的同时获得更高的性能。

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三、内存时序怎么调详解内存时序调整方法？内存时序是指读写内存时的延迟时间，包括CL（CASLatency）、TRCD（RAStoCASDelay）、TRP（RASPrechargeTime）等参数。这些参数可以通过调整内存时序来提高内存性能。
以下是设置内存时序的步骤：
1.进入BIOS设置：根据主板和计算机型号的不同，进入BIOS设置的方法可能有所不同。通常，您在打开计算机时需要按特定的键，例如F2、F12或删除键。在BIOS设置中，找到“Advanced”或“Memory”选项，进入内存时序设置选项。
2.设置CL（CASLatency）：CL是读写存储器时的延迟时间，代表从发出读命令到第一次读取数据的时间。您可以通过调整CL值来提高内存性能。一般来说，较低的CL值会带来较高的性能，但也会增加延迟。因此，您需要对其进行修改以适合您的具体情况。在BIOS设置中，找到修改CL值的选项，根据自己的需要进行调整。
3.设置TRCD（RAStoCASDelay）：TRCD表示从RAS（行标题选择）信号到CAS（列标题选择）信号的时间。这段时间的长短会影响内存读写的速度。您可以通过调整TRCD值来提高内存性能。在BIOS设置中，找到修改TRCD值的选项，根据自己的需要进行调整。
4.设置TRP（RASPrechargeTime）：TRP表示RAS信号预充电所需的时间。在对存储器进行读写之前，必须进行预充电操作，以清除之前的电荷。您可以通过调整TRP值来提高内存性能。在BIOS设置中，找到修改TRP值的选项，根据自己的需要进行调整。
需要注意的是，不同类型的内存和不同的计算机配置可能需要不同的值来设置最佳内存时序。因此，您需要根据您的具体情况进行调整，并在测试中进行适当的改进。