内存时序没用(内存超频时序参照)

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一、BIOS里无法修改内存时序?因为内存时间必须和内存频率相匹配，如果你设置的内存频率太高，内存时间设置太低也是不行的。如果你想使用这么低的内存时间，你应该把内存频率设置得低一些。。

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二、内存时序不一样的可以一起用吗详情只要是同代内存就没有影响，不同容量、不同时序、不同品牌、不同频率的内存也兼容，并且可以设置两个通道，但时序和频率会自动降低到最低的内存，比如你有DDR42133频率的内存，那么还有DDR42400频率的内存。
您要购买的内存具有更好的性能和不同的时序，这不是不兼容的理由。不同品牌、不同内存颗粒的兼容性差异相对较大，主板也可能造成不兼容。
只要是同代内存，还可以设置不同容量、不同时序、不同品牌、不同频率的内存，在实际添加电脑内存时，尽量使用内存。相同品牌、相同型号的并安装在一起，可以提高电脑速度。
只要是二代内存，无论频率、时序、容量都可以一起使用，直到频率接近更低的频率为止。这意味着，例如，我买了一条DDR28002GB。这时候加上你的1GBDDR2667，系统就会直接从800降到667。
如果没有问题，电脑会自动检测速度，进行调整，以低速内存频率为主频率。原则是尽可能少地使用它们。
最好不要这样做，因为它会影响性能并可能导致不兼容、崩溃等。
DDR1和DDR2不能一起使用。使用两个存储器的前提是频率相同，容量可以不同。但如果频率不同，Blue很容易死机，因此DDR3时代不能自动使用。低频使用高频内存，大大提升了各个频率的性能。
从图中可以看到，你的内存完全是DDR4一代，主频是3600。它们一起使用是没有问题的。代数决定了能否插入主板插槽。有的不能插入，因为主频决定运行速度。当不同主频安装在一起时，射频一般工作在同一频率。
没问题，但是你必须明白，时序越高，速度越快。当您减少时间时，较高的内存随之而来的是较低的内存。
这一般是可以的，只是频率降低的问题。然而，一些主板对内存更加挑剔，因此更容易出现错误。最好将相似的记忆放在一起使用。
MemoryTechnologiesDDR26671G+ADATADDR8002G在667的时序基本相同，现在可以这样使用。不同频率的内存可以与PC133内存混合使用，例如也可以使用DDR266内存。可与DDR400内存组合，确保混合内存插入。
您可以一起使用它们，但不能确定不会出现兼容性问题。可能系统蓝屏是同品牌、同频率、同序列的。
这并不能显着提高运行速度。不建议在相同频率、相同内存容量的电脑中使用。这意味着可以很大程度上避免兼容性问题。
最好不要同时使用不同频率的内存，因为会使用最低频率的内存，从而阻碍高频内存的使用。如何安装内存条：首先准备好工具并剪掉笔记本的电池，准备一把小十字螺丝刀，一般只拆螺丝即可。
没问题，但是你必须明白，时序越高，速度越快。当您减少时间时，较高的内存随之而来的是较低的内存。
如果支持并且需要设置两个通道，最好使用同一品牌的内存，并且最好同批次生产，因为不同的内存厂家使用的内存颗粒不同，直接影响内存的性能。即使是同一厂家生产的同一型号的内存模块，其信息流处理的时序也不同。
完全兼容，完全没有问题，但最好使用同一品牌。

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三、内存时序对性能的影响？

对于相同频率的记忆，时间越短越好。

CL-TRCD-TRP(11-11-11)显示11小时的时间。1600Mhz内存的默认时间为11-11-11，1333Mhz的默认时间为9-9-。9，所以1600Mhz9-9-9内存比1600Mhz11-11-11内存更快。除了通常的超频，将频率从1333更改为1600Mhz外，专家还更改了时间。

基本说明

一般数字“A-B-C-D”对应的参数为“CL-tRCD-tRP-tRAS”，其含义为：CASLatency。（简称CL值）内存CAS延迟时间，这是内存的重要参数之一，RAS-to-CASDelay（tRCD），即内存行上的CL值地址传输到列地址上的延迟时间。

RASPrechargeDelay（tRP），存储器行地址选通脉冲预充电时间，RowActiveDelay（tRAS），存储器行地址选通延迟。这些是游戏玩家最关心的四重调整，可以在大多数计划推出低于JEDEC认证要求的低延迟内存模块的内存模块的BIOS中进行配置。

相同频率设置下，最小排序时间“2-2-2-5”的内存模块实际上比从3开始的“3-4-4-8”内存性能更高最多5个百分点。

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四、内存时序高会怎么样？影响电脑性能吗？

内存时序高表示系统性能低且延迟高，这会对计算机的性能产生一些影响。

内存时间越低通常意味着性能越快。决定系统性能的最后一个因素是有效延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序是描述内存模块性能的参数。它通常保存在存储模块的spd中，称为cl值，是存储器的重要参数之一。有些内存品牌会在内存条标签上打印cl值，目前一般较好的内存条都会在参数中标注cl值。

一般来说，时序是决定内存性能的一个参数，但这并不意味着时序越低，性能就越好。它还取决于存储容量和频率。只能说，两个容量、频率相同的存储器之间，时序越短，性能越好。

扩展信息：

内存时序的具体含义：

内存时序是一个描述模块性能的参数内存，通常存储在内存中。在模块的spd中，通用数字“a-b-c-d”对应的参数为“cltrcdtrptras”，其含义如下：

1列寻址（表示延迟时长）

事实上，在相同频率下，cl值越低，内存条的性能越好。随着内存条频率的提高，ddr1-4的cl值越来越大，但其有效cl延迟时间变化很小。这意味着cl值越大，存储模块的cl延迟越长，并且存储模块的cl延迟越差。相反，ddr1-4的cl值越高，增加的频率越高。

：行寻址和列寻址的时钟周期之间的差异

TrCD的值对内存模块想要达到的频率的最大内存频率影响最大，但如果不可能提高电压，降低cl值，只能提高trcd值。

现在的DDR4一般都是1.2V，如果你想让CL好看，如果你想让内存条超频到更高的水平，就增加TRCD，如果你想要灯光效果，就增加时序。因此，大的trcd并不意味着内存模块不好，而是意味着内存模块可以超过非常高的频率。

：下一个周期之前需要预加载的时钟周期

虽然TRP的影响会随着银行操作的频繁而增加，但其影响也会根据银行的活动而变化。频繁操作。因交叉操作和指令提供而被削弱。放宽trp，有利于提高行地址激活和关闭的命中率和准确度，放宽trp，使内存模块兼容性更强。

：存储一行数据时，从开始操作到寻址结束的总时间。

此操作很少发生，仅在内存空闲或启动新任务时使用。如果trans值太小，会导致错误或数据丢失。如果该值太大，会影响内存性能。如果内存模块负载较高，则可以稍微放宽trans值。

参考来源：--内存时序