内存时序模式选自动还是连接

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一、内存时序怎么设置?
调整内存时序时，一定要遵循安全原则，不要调整太大，以免损坏硬件。同时，您需要备份BIOS设置，以便在出现问题时可以恢复它们。备份BIOS设置内存时序是内存工作的节奏，是影响内存读写数据速度和稳定性的重要因素。
确认内存支持的时序。备份时序是内存工作的节奏，是影响内存读写速度和稳定性的重要因素。内存时序包括时序频率、时序时序、时序电压等。
如何调整内存时序：首先，重新启动计算机，按徽标界面上的热键进入BIOS设置。
可选设置：Auto、0、1、2、3、4、5、6、7。该值是内存计时参数“3-4-4-8”中的第三个参数，即第二个4.
内存调整时序一般包括四个参数：CAS时序、RAS时序、周期时间和写延迟。这些参数可以通过BIOS界面进行设置。步骤如下：进入计算机的BIOS设置界面，通常是按Delete或F2键。
重新启动计算机，按Logo界面上的热键进入BIOS设置。进入后，找到“高级”选项，选择“高级芯片组功能”。进入后，将DRAMTimingSelectable改为手动。启动定时设置后，会出现另外四个选项，即内存定时。

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二、下边有BOIS各项是什么意思呢？表示记忆计时模式：Auto为自动，manual为手动模式。如果你不知道，最好选择自动模式。CASLatency(CL)：列地址选通延迟，指访问和读取当前行中特定列的时钟周期。CAS控制接收指令和执行指令之间的时间。由于CAS主要控制内存矩阵中的十六进制地址或列地址，因此它是最重要的参数，在稳定的前提下应设置得尽可能低。tRCD：行地址和列地址之间的延迟时间。这是行地址选通脉冲激活和列地址选通脉冲读取开始之间的时钟周期延迟。在JEDEC规范中，这是次要参数。减少这种延迟可以提高系统性能。如果该值设置过低，也会导致系统不稳定。参数范围3-10。tRP：行地址选通预充电时间。这是从一个行地址转换到下一个行地址（例如从一个存储体到下一个存储体）所需的时钟周期。小的预充电参数可以缩短预充电时间，从而更快地激活下一行。tRAS：行地址选通。这是预充电和行数据访问之间的预充电延迟时间。即“从内存线有效到预加载的最短时间”。该参数的调整应根据实际情况进行。这并不意味着越大或越小越好。如果tRAS周期太长，系统的性能会因不必要的等待时间而下降。缩短tRAS周期会导致激活的行地址更快地转换到非活动状态。如果tRAS周期太短，突发数据传输可能会因时间不足而无法完成，从而导致数据丢失或数据损坏。该值一般设置为CASlatency+tRCD+2个时钟周期。为了提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值。但是，如果发生内存错误或系统崩溃，则应增加tRAS的值。参数范围5-20。在JEDEC规范中，它是第四个参数。tRTP：读取预充电命令的延迟。该参数实际上是读命令和预充电命令之间的时间延迟。参数值过小，系统运行速度快，但不稳定。参数范围3-15。tRFC：更新周期时间。该参数表示“行”自动更新周期时间，这是更新行单元所需的时钟周期数。该值也代表向同一个bank中的另一个行单元发送两次更新指令（即REF指令）之间的时间间隔，tRFC值越小越好，并且略高于tRC值。参数范围30-110。tWR：写恢复时间。这是有效的“写入”操作和预加载存储体之间的时间，直到数据可以正确写入。也就是说，在完成有效写入并预加载激活的存储体之前必须等待多少个时钟周期。这个必要的时钟周期用于确保写缓冲区中的数据可以在预充电发生之前写入存储设备。虽然tWR太低可以提高系统性能，但可能会导致在数据正确写入存储设备之前发生预充电，从而导致数据丢失和损坏。参数范围1-15。tRRD：行选通到行选通延迟，也称为RowtoRowdelay。这意味着“行单元与行单元之间的延迟”。该值还表示同一内存模块上连续行选通动作或预充电行数据命令的最小延迟时间，tRRD值越小，延迟越小，这意味着可以更快地激活下一个存储体。。但由于需要一定量的数据，过短的延迟可能会导致数据持续膨胀。如果系统变得不稳定，则必须将该值设置为更高的时钟参数。参数范围1-7。tWTR：读写延迟。该参数指定同一存储体区域中写命令和下一个读命令之间的延迟时间。即上一次有效写入和下一次读取之间必须在同一单元中等待的时钟周期。tWTR值较高，会降低读性能，但会提高系统稳定性。较低的值可以提高读写性能，但会导致系统不稳定。参数范围1-15。