4条内存延迟(内存延迟多少正常)

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一、什么是内存延迟?内存延迟
内存延迟基本上可以解释为系统在进入数据访问操作的就绪状态之前等待内存响应的时间。
打个形象的比喻，就像在餐厅就餐的过程。你先点餐，然后等待服务员给你送来。同理，内存延迟时间设置得越短，计算机从内存读取数据的速度就越快，计算机的其他性能也就越高。
此规则适用于基于Intel和AMD处理器的系统。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，国际内存标准组织认为当前的动态内存技术无法实现0或1延迟。
通常，我们使用4个连续的阿拉伯数字来表示内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要。它代表CASLatency，即内存访问数据所需的延迟时间。第二个数字代表RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别代表RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。第四个数字通常是其中最大的。
如，我们可以看到CrucialDDR333内存的延迟图表。通过此图表，我们可以了解延迟数字的含义。以CL=2的顶层内存为例，图中有CAS2、CAS2.5、CAS3三个延迟。请注意垂直虚线，它表示时钟信号的上升沿或下降沿。由于这是一款DDR内存，因此一个时钟周期内有两个点。
CASlatency是注册读命令和第一个输出数据之间的延迟。CASlatency的单位是时钟周期。
延迟设置为2-2-2-5的DDR内存比延迟设置为3-4-4-8的DIMM具有更高的性能。这是因为前者接收指令、检索数据、发回数据的延迟比后者要短。
体现在BIOS设置中，有很多相关的选项：
在BIOS主界面的AdvancedChipsetFeatures选项子界面中，可以看到：
SDRAMFrequency
ConfigureSDRAMTimingbySPD
SDRAMCAS#Latency简称CL
SDRAMRAS#Precharge简称TRP
SDRAMRAS#toCAS#Delay简称TRCD
SDRAMPrechargeDelay简称如TRAS
SDRAMBurstLength称为BL
选项的描述可能存在差异。详情请参阅附录1。
其实内存延迟的调整从某种意义上来说也是超频的一种手段，只不过是在风险最低的情况下根据内存自身情况进行的调整，也就是说，记忆的反应程度调整记忆的工作状态，告诉它少休息，多工作。因此，长期调整记忆延迟会对记忆本身造成一定的伤害。提前声明一下，延迟越小，内存性能越高，因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个值一起使用，相互影响程度非常大，而且并不是说数值最大的时候性能最差，所以更合理的配比参数成为了我们至关重要的一环。

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二、ddr4内存延迟多少正常10到20个时钟周期。
DDR4内存的延迟时间以时钟周期来表示，指的是内存芯片在接收到CPU发送的指令后才能开始传输数据之前必须等待的时间。它会受到很多因素的影响，包括内存频率、内存时序设置、主板芯片组、CPU等。延迟时间的正常范围是10到20个时钟周期。