内存时序太高c19

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一、内存时序可以调低吗

内存时间可以调低。如果您遇到蓝屏死机错误，您可以进入BIOS并向下调整以将内存延迟设置为较低水平。简单来说，就是从主板BIOS调整，找到内存设置，降低参数。内存频率和时间是相互制约的。频率越高，时间延迟就会增加得越多。轻松找到记忆时间，然后按顺序更改。调整内存条时序是检验内存条品质的标准。一般情况下，不会降低内存模块的寿命。

最佳记忆时间

高频和高时间好，同样低频和时间好，1600和1866一定选第二个，它既稳定又强大。小心高频和低时序。事实上，在容量至上的时代，所谓的时序就是指内存刷新的间隔时间。因为内存是一种易失性存储设备，所以它需要。给存储单元充电以保存数据。

总的来说，没有压力，时序高，时序对性能影响不大，1866很难达到，努力就会牺牲，时序911927相当不错，如果实现会比24好，性能更好比ddr42133，常见编号，A-B-C-D，对应参数：CL-tRCD-tRP-tRAS。

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二、内存时序高好还是低好？

当内存不足时，时机很好。

内存时序是一组四个参数，描述同步动态随机存取内存(SDRAM)的性能：CL、TRCD、TRP和TRAS（以时钟周期为单位）。它通常写为由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)通常被省略，有时会添加第五个参数Commandrate。通常为2T或1T（也拼写为2N、1N）。

这些参数指定影响随机存取存储器速度的延迟（延迟时间）。一般来说，数字越低意味着性能越快。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：列地址访问延迟时间是时序中最重要的参数。

tRCD(RAStoCASDelay)：将内存中的行地址发送到列地址的延迟时间只是一个估计值；对该值的微小更改不会对内存性能产生很大影响。

tRP（RASPrechargeTime）：存储器行地址选通脉冲预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址有效的时间可以简单理解为向内存写入或读取数据的时间。这通常接近前三个参数的总和。