H81主板最大支持16GBDDR3内存。
DDR2SDRAM有4Bank和8Bank设计,旨在满足未来大容量芯片的需求。DDR3可能以2Gb容量起步,因此起始逻辑Bank为8个,并且正在为将来增加逻辑Bank做准备。
封装(Packages)DDR3由于新功能,管脚将会增加。/68/84球FBGA封装三种规格。而且DDR3必须采用绿色包装,不能含有任何有害物质。
扩展信息:
DDR3内存虽然可以实现高带宽,但其功耗却可以降低,核心工作电压也随之改变。从DDR21.8V降至1.5V。相关数据预测DDR3将比目前的DDR2保持多30%的功耗。
为了平衡功耗和功耗,与现有的DDR2-800产品相比,DDR3-800、1066和1333的功耗分别是0.72X、0.83X和0.95X,但内存有所提升。而且整理能力比上一代还要好。
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