内存颗粒的封装方式

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一、内存的封装方式主要有?DIMM（双列直插式内存模块）与SIMM类似，但稍大一些。不同的是SIMM的一些引脚前后连接在一起，而DIMM的每个引脚是分开的，因此电气性能有很大的提高，并且这样可以容纳更多的模块而不会使模块变得更大。引脚，使其更容易获得更多RAM容量。
RIMM（Rambus直插式内存模块）有点像DIMM，只不过尺寸更大、性能更好，但价格昂贵且产生的热量更多。为了解决散热问题，模块设有长散热片。
现在让我们回到内存颗粒的封装。
DIP
早期的内存颗粒也采用DIP（DualIn-linePackage）。该封装形状为矩形，由于引脚数量较少（通常为8~64引脚），引脚从长边伸出。，而且抗干扰能力极弱，尺寸又比较“大”，所以DIP封装就像是昙花一现。
SIP
SIP（单列直插式封装）仅驱动一侧的引脚，直接插入PCB板。其外壳与DIP类似。它有趣的特点是它只占据印刷电路表面的一小部分。然而，在某些系统中，闭合电路板限制了SIP盒的高度和应用。再加上引脚不够，性能不理想，很快就被撤出了市场。
SOJ
SOJ（SmallOut-LineJ-LeadSmallJ-ShapedPinPack）伸出的引脚看起来有点像DIP引脚，但不同的是引脚是“J”形状围绕芯片底部弯曲，应与专门为SOJ设计的支架一起使用。
TSOP
20世纪80年代出现的TSOP（ThinSmallOutlinePackage）封装，更适合高频使用，凭借高可操作性和高可靠性征服了世界。TSOP的外壳厚度仅为SOJ的三分之一。TSOP存储器封装呈矩形，I/O引脚位于封装芯片周围。例如，SDRAM内存颗粒两侧都有引脚，而SGRAM内存颗粒四个侧面都有引脚，因此相对较大。在TSOP封装方法中，存储颗粒通过芯片引脚焊接到PCB上。焊点与PCB之间的接触面积较小，使得热量相对难以从芯片传递到PCB。
Tiny-BGA
Tiny-BGA（TinyBallGridArray小球网格阵列封装）是Kingmax推出的一种封装方式。由于Tiny-BGA封装减少了芯片面积，因此可以认为是超小型BGA封装。Tiny-BGA封装相对于传统封装技术有三大改进：容量更大（电路板上可以放置更多的存储颗粒）、电气性能更好（因为连接芯片和基板的路径更短，从而减少电磁干扰）;干扰噪声，可能适用于更高的工作频率）；更好的散热性能（内存颗粒通过焊球焊接在PCB上，由于焊点与PCB的接触面积较大，内存颗粒在运行过程中产生的热量可以很容易地路由到PCB上并散发掉）。
mBGA
mBGA（MicroBallGridArray微型球栅阵列封装）可以认为是BGA的改进版本。封装呈方形，内存颗粒实际占用面积相对较大。小的。由于采用这种封装方式的存储芯片的引脚都在芯片的底部，连线短，电气性能好，不易受到干扰。这种封装技术将提供更好的散热和超频性能，特别适合高频运行的DirectRDRAM。但制造成本极高，目前主要用于DirectRDRAM。
CSP
CSP（ChipScalePackage）是一种新的封装方式。在BGA和TSOP的基础上，CSP封装的性能得到了革命性的提升。CSP封装可以使芯片面积与封装面积之比超过1:1.14，接近理想情况1:1。绝对尺寸仅为32平方毫米，约为普通BGA的1/3，相当。到TSOP1/6内存颗粒的面积。这样，在相同体积下，U盘中可以安装更多的内存颗粒，从而增加单个U盘的容量。也就是说，与BGA封装相比，CSP封装可以在相同的空间内将存储容量提高三倍。另外，CSP封装的内存颗粒不仅可以通过PCB散热，还可以从背面散热，散热效率良好。同时，由于JEDEC（联合电子器件工程委员会）制定的DDRⅡ技术规范以及DDRⅡ成为市场主流后TSOP-Ⅱ封装将全面退出市场，CSP升级后的WLCSP将接管包装的新职责。同时，WLCSP的封装方式比CSP更接近芯片尺寸，封装布线是在晶圆上进行，这使得其在可靠性方面达到了更高的水平。