H81主板最大支持16GBDDR3内存。
DDR2SDRAM采用4Bank和8Bank设计,旨在满足未来对大容量芯片的需求。DDR3预计起始容量为2GB,因此起始逻辑Bank为8个,未来正在为16个逻辑Bank做准备。
由于一些新功能,DDR3封装的引脚数将会增加。8位芯片采用78球FBGA封装,16位芯片采用96球FBGA封装,DDR2有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须采用绿色包装,不能含有任何有害物质。
详细信息:
DDR3内存虽然可以实现高带宽,但功耗可以降低,基本工作电压也较DDR2有所改变,1.8V降至1.5V,相关数据预测DDR3将比目前的DDR2节省30%的功耗。当然,我们不必担心炎热。
为了平衡带宽和功耗,与现有DDR2-800产品相比,DDR3-800、1066和1333的功耗比为0,分别为0.72X、0.83X和0.95X。内存带宽有了显着提升,功耗表现也比上一代更好。
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