3200内存时序多少合适(3200的内存可以压时序吗)

内存超频3200,trefl设多少假设为1.35V。
ddr4内存时间参数3200(16)8G×16，CL16-16-161.35V较好，默认是DDR42133，1.2V，按XMP会直接将频率改为DDR4320016-16-16-362T，电压将增加。高频时为1.35V。
如果ddr4内存的第一次时间没有改变，第一次尽量不要改变，应该从调整第二次时间开始，一般情况下，通过放大tRFC和tREF可以获得高频DDR4内存与ddr4、ddr42内存不同，在第一阶中，CR对内存频率和性能的影响很小。tRTP、tRTW和tWTR在第二个ddr4时序期间对性能影响不大，可以适当放宽以提高超频后的稳定性。看不见且经常被遗忘，但对性能的影响并不小，不建议为了高频而牺牲第三项，尤其是tRDRD和tWRWR。

金士顿3200超频3600最佳时序18-22-22-42。
金士顿3200内存超频至3600时，最佳时间设置为18-22-22-42。内存模块的CAS延迟(CL)设置为18个时钟周期，RAS到CAS延迟(tRCD)设置为22个时钟周期，重载时间(tRP)设置为22个时钟周期，行激活为重载时间。(tRAS)设置为42个时钟周期。您可以在保持稳定性的同时获得更高的性能。

16G3200内存时序

16G3200内存时序为16-18-18-36。时间只是描述内存性能的参数之一。一般用阿拉伯数字表示。时间对记忆表现的影响最为明显，而在这四组数字中，第四组有时会被忽视。一般来说，这些数字代表内存延迟。一般来说，数字越低越好。

内存是计算机的重要组成部分之一，又称内存、主存。用于临时存储CPU上的运行数据以及与硬盘等外部存储器交换数据。它是外部存储器和CPU之间的桥梁，计算机上的所有程序都在存储器上运行，存储器的性能影响着计算机的整体性能。

内存的作用

内存也称为主存。它是CPU可以直接寻址的存储空间。它由半导体器件组成，特点是存取速度快。与外部存储器相比，存储器是计算机中的主要部件。

我们常用的程序，如Windows操作系统、打印软件、游戏软件等。它们通常安装在硬盘等外部存储上，但它们的功能不能单独使用，因为它们必须转移到内存中执行才能真正使用它们的功能。

以上内容参考-内存

谁解释一下内存时序是什么存储器的时间参数通常缩写为2/2/2/6-11/1T。
分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中的最后两个时间参数，即tRAS和CMD（Command缩写），是比较复杂的时间参数。目前市场上对这两个参数存在一些误解，因为一些内存厂商直接用它们来代表内存性能。
用更通俗的话来说，CMDRate是芯片组意义上的延迟。它并不完全由记忆决定。芯片组将虚拟地址解释为物理地址。
不难估计，高密度、大容量的系统内存的物理地址空间更大，CMD延迟肯定比只有单内存甚至双内存的系统要大。单面内存。