内存卡的存储原理

---

一、tf卡为什么能存储64g的东西，原理是什么，谢谢

因为里面有一个FLASH芯片，一种广泛使用的存储材料，所以我们经常在IT文章中谈论这两种芯片。由于它们的工作条件和方法不同，其性能和用途也不同。下面简单介绍一下它们的工作原理。计算机使用的是二进制系统，即0和1。在二进制系统中，0和1可以组成任意数字。计算机设备有两种状态，可以表示0和1。

例如：三极管的通电、磁性材料的磁化和退磁、材料平面的凹凸等都可以表示。都代表0和1。硬盘（FLASH芯片）——硬盘利用磁性材料来记录信息，如果盘片上的磁性材料被磁化则为1，如果没有磁化则为0。因为磁力不会消失然后。断电，因此断电后盘片上的磁性材料不会丢失。数据仍然可以保存。

---

二、储存卡没电是怎么工作的怎么储存东西的？

用一个简单的句子来概括。存储卡是电存储，也就是说0和1是通过存储的充电电压来表示的。

我们常见的存储数据的方式是将电荷存储在存储卡上的半导体上，然后读取数据通过存储卡的属性。该方法访问数据存储位置的单元电势，将最终数据从电势转换为电势。

存储卡通常使用。NAND颗粒它们是主控存储颗粒。NAND是一种半导体存储颗粒（还有其他类型，例如NOR。但NOR不用于这些东西）。至于这个粒子的物理结构，就不用深究了。我们需要关心的是NAND如何存储和读取数据。

简单来说，NAND可以被认为是由许多电容器组成的集成电路。NAND分为SLC（SingleLevelCell）、MLC（Multi-LevelCell）、TLC（Trinary-LevelCell）等（目前只有这三种）。从名字上就可以看出区别：SLC是“单层”，MLC是“双层”，TLC是“三层”。其实可以这样理解：SLC是指将电容的充电状态（充电）和放电状态（不充电）分别视为0和1；MLC表示完全充电、2/3充电、1/3充电，四种充电状态定义为00、01、10、11；TLC增加了几个中间值，从000到111有八个定义。那么SLC的一个单元（“电容器”）只能存储1位，MLC可以存储2位，TLC可以存储3位。同时，也很自然地理解，SLC可以清楚地判一个单元是0还是1，但MLC却不容易判断，因为不同的电荷量代表不同的数据，轻微的电荷丢失就会导致错误；TLC出错的可能性更大。所以就稳定性而言，SLC最好，MLC次之，TLC最差。此外，这些电池处于“空闲”状态，在连续充放电多次后无法保持电荷，从而导致数据错误。这方面，SLC也最耐充放电，MLC次之，TLC最差。因此，SLC的使用寿命最长，MLC次之，TLC最差。从充放电速度来看，SLC最简单、最快；结构越复杂，速度越慢，所以MLC其次，TLC最慢。

因此，存储卡即使在关闭后仍然可以存储数据。如果您有任何疑问，请联系我以获取详细解释。