当前位置:首页 > 内存 > 正文

内存时序18和16(内存时序选16还是18)

  • 内存
  • 2024-05-06 02:57:54
  • 7674

一、时序18和16差别大吗内存时序c16和c18之间的差异只有3%左右。日常使用中并不是特别明显,但跑分上还是有差距的。内存时序包含四个描述同步动态随机存取内存(SDRAM)性能的参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,其单位是时钟周期。它们通常由用破折号分隔的四个数字表示,例如16-16-16-36。


二、到底什么是内存时序?为何都说买内存外行看频率,内行看时序在购买电脑内存时,大多数人都会关注内存容量和频率参数。一般来说,容量越大越好,频率越高越好。当然,这两个参数非常重要,但是还有一个重要的参数经常被大家忽略,那就是内存时序。那么什么是内存时序以及它对内存性能有什么影响呢?在本次科普版中,单德君就让大家了解一下这个内存参数。
时序影响存储芯片上各种常见操作之间的延迟。如果延迟超过一定限度,就会影响内存的性能。用一句话来概括:存储器的时序是对存储器在执行其各种操作时可能经历的固有延迟的描述。
内存时序以时钟周期为单位进行测量。在内存模块产品页面上,您可能会看到一系列数字,例如:例如16-18-18-38称为内存计时。从本质上讲,时间越短当然越好,因为它们代表延迟。这四个数字代表所谓的“主要时序”,它们对延迟的影响最大。
四个内存时序号对应的参数为CL、tRCD、tRP、tRAS,单位为周期。其中,CL(CASLatency)的意思是“列地址访问的延迟时间,是时序中最重要的参数”;tRCD(RAStoCASDelay)表示“内存行地址传输到列地址时的延迟时间”;表示“存储线地址选通脉冲预充电时间”;tRAS(RASActiveTime)代表“行地址激活时间”
看完上面的内容你是不是更困了?别担心,下面我们举一个简单的例子。
我们可以把内存中存储数据的地方想象成一个网格,每个方格存储不同的数据。当CPU需要数据时,它向内存发出相应的指令。
例如,CPU想要位置C3处的数据。内存收到CPU的指令后,首先需要判断数据在哪一行。时序的第二个参数tRCD代表这个时间,表示内存控制器在接收到指令行之后必须等待多长时间才能访问该行。
内存确定了数据所在的行后,如果要查找数据就需要确定列。计时中的第一个数字是CL,它表示内存确定行数后,在访问特定列之前要等待多长时间。
确定行数和列数后,就可以准确找到目标数据,因此CL是一个准确的值。所有的变化都会影响目标数据的位置,因此最关键的时序是对内存性能起着至关重要作用的参数。
内存时序的第三个参数tRP是确定一行后,等待另一行所需的时间。
第四个参数tRAS可以简单理解为向内存写入或读取数据的时间。它一般接近于前三个参数的总和。
为了保证稳定性,内存时序越低越好。然而,我们知道现在许多内存模块都可以超频,而高频和低时序是相互冲突的。随着频率的增加,必须牺牲时间。如果时序足够低,则很难提高频率。例如,虽然今年各大内存厂商发布的DDR5内存的频率有所提高,但时序也比DDR4内存高很多。


三、内存条3600频率18时序的好还是3200频率16时序的好?内存条时序越低,超频能力越好。不过,这与记忆棒的频率有关。3600的频率比3200高了400,18和16的时序没有太大区别,高频的话稍微超频就够了。频率4000到4266,所以比频率3200更有优势。