3200mhz内存时序

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一、内存时序c30和c36的差距是多少？内存时序c30和c36相差约250g。
c30和c36的内存时序相差约250g。C36的实际内存为512GLC30，一根记忆棒所含内存通常为70G左右。c36和c30之间的内存条大约是250g。
内存时序频率：
CL、T、T、T，单位为时钟周期。通常写为由破折号分隔的四个数字，将内存时序转换为实际延迟时需要注意的最重要的事情是时钟周期。
如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组快。
例如DDR3~2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。基于这个1ns时钟，CL提供7ns的绝对延迟。更快的DDR3~2666（1333MHz时钟，每个周期0.75ns）可以使用等于9的较大CL，但会导致更短的绝对延迟（6.75ns）。
较新的DIMM包含串行存在检测(SPD)ROM芯片以及用于自动配置的推荐内存时序。PC的BIOS允许用户调整时序以提高性能（冒着稳定性降低的风险），或者在某情况下提高稳定性（例如，使用推荐的时序）。
内存带宽是内存吞吐量的衡量标准，通常受到传输速率而不是延迟的限制。对SDRAM多个内部存储体的交错访问允许全速连续传输。
可以以延迟为代价来增加带宽。特别是，每一代新一代DDR内存都具有更高的传输速率，但绝对延迟并没有显着变化。特别是，第一批上市的下一代产品通常比前几代产品具有更长的延迟时间。
增加内存带宽可以提高具有多个处理器或多执行线程的计算机系统的性能，尽管它会增加内存延迟。更高的带宽还可以提高没有专用视频内存的集成显卡的性能。

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二、内存时序是什么意思存储器的时序参数一般缩写为2/2/2/6-11/1T的格式。
分别表示CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD的值。2/2/2/6-11/1T中的最后两个定时参数，即tRAS和CMD（Command缩写），是比较复杂的定时参数。目前市场上对这两个参数存在一些误解，因为一些内存厂商直接用它们来代表内存性能。
用更通俗的话来说，CMDRate是芯片组意义上的延迟。它并不完全由记忆决定。芯片组将虚拟地址解释为物理地址。
不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有单内存、甚至双内存的系统要大。双面单一记忆。

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三、3200最低时序CL14-18-18-38。根据官网，我们获悉3200存储卡是一款新型大容量、低延迟存储卡，频率为DDR4-3200，最小时序为CL14-18-18——38.