内存延迟和时序

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一、内存时序是什么意思内存时序是指内存的响应速度。越短，速度越快。具体来说，时序是内存的性能参数之一，可以理解为内存读取数据时延的衡量标准。它的全称叫CL值，也叫延迟时间。该参数越小，内存读写效率越高，性能越高。因此，很多游戏玩家在选购内存时都会关注其时序性能。它是判断记忆质量的重要指标之一。如果您想获得更精确的时序值信息，可以读取并查看内存SPD芯片。内存读写速度取决于许多因素，时序只是其中之一。除了时序之外，内存带宽和容量也是决定内存性能的重要因素。一般来说，容量越高、带宽越高，内存性能就越好。短时间的记忆也更受消费者欢迎。为了提高计算机的计算效率和工作效，您可以购买交货时间较短的高质量内存模块。总之，内存时序是反映内存性能的重要指标之一，对于了解内存性能、选购优质内存具有重要意义。
那么为什么时序会对内存性能产生影响呢？这是因为时序涉及存储器接收读取命令与实际传送数据之间的延迟。当计算机需要访问内存时，它向内存发送读指令，内存需要一段时间才能找到并返回相应的数据。这个过程中涉及到的滞后时间就是计时的体现。时间越短，内存对计算机读取指令的响应速度就越快，从而提高整体运行效率。
此外，时序还与制造工艺以及存储电路的设计有关。高质量存储器通常采用更先进的制造工艺和更优化的电路设计来减少时间并提高性能。因此，购买内存时，除了关注容量和价格之外，时序也是一个非常重要的指标。通过了解内存SPD芯片信息或者查看产品datasheet，可以得到内存详细的时序参数，选择性能更好的产品。

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二、什么是内存时序？内存时序参数一般缩写为2/2/2/6-11/1T。
分别代表CAS/tRCD/tRP/tRAS/CMD值。2/2/2/6-11/1T中的最后两个定时参数tRAS和CMD（简称命令）是最复杂的定时参数。目前市场上对这两个参数存在一些误解，因为一些内存厂商直接用它们来代表内存性能。
从更常见的意义上来说，CMDRate是芯片组意义上的延迟，并不完全由内存决定。芯片组将虚拟地址解释为物理地址。
不难估计，高密度大容量的系统内存的物理地址范围更大，其CMD延迟肯定比只有一根内存，甚至双内存的系统要大。单面内存。