内存时序哪个影响延迟

---

一、内存时序高低有什么区别？

低内存计时是好的。

内存时序是代表SDRAM（同步动态随机存取存储器）性能的四个参数CL、TRCD、TRP、TRAS，单位是时钟周期。它通常写为由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N或1N。

这些参数指定延迟（latency），它影响随机存取存储器的速度。较低的数字通常会带来更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL(CASLatency)：列地址访问的延迟是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间。由于tRCD只是一个估计值，因此对该值的微小更改不会显着改变内存性能。

tRP(RASPrechargeTime)：存储器行地址选通脉冲预充电时间。

tRAS(RASActiveTime)：行地址有效的时间，简单理解为内存写入或读取数据的时间，一般接近前三个参数的总和。

---

二、内存时序参数如何影响内存性能？

深入理解内存时序：构建和性能的关键

它如何在世界电子产品的数据舞蹈中准确地构建和影响内存时序（这项技术的奥秘）？它不仅是内存模块的隐式性能语言，而且还存储在每个SPD芯片的密码中。每个数字序列，如“A-B-C-D”，背后都隐藏着深刻的含义：

CL-latentCASvalue：作为内存性能的精神指标，CASLatency（CL值））是如何决定数据响应速度的是内存和CPU之间的瞬时通讯。您可能会在某些品牌的产品标签上注意到这个重要数字。
tRCD-RAS-to-CASLatency：这是内存行地址从流地址到列地址的瞬时转换，就像切换信号量一样，会影响数据流率。
tRP-RASPrepaidDelay：与起始信号类似，决定了列地址在CAS信号到来之前的等待时间，影响数据处理的整体效率。
DelaywithtRASEffect：选通延迟说明符，即从发送行地址到读取数据的时间。该参数的优化直接影响系统性能。

在超频领域，像“2-2-2-5”这样的低延迟序列比“3-4-4-8”更受玩家欢迎。在相同频率下，这种细微的调整可以带来3%到5%的性能提升，每缩短一毫秒就意味着速度的提升。

内存时序参数检测

输入时序就像精确的舞台规划，每一个细节都关系到数据的流畅流动。了解并优化这些参数可以帮助您的计算机更好地运行。在这里，我们仅希望为您的记忆性能改善之旅提供一些关键指导。

结论

这是对内存计时的简单介绍，希望它可以帮助您发现内存性能的秘密，甚至使内存的工作变得更容易。你最强大的计算机。不断探索并释放您系统的潜力！

---

三、bios哪个设置影响内存延迟DRAM频率。根据查询网站显示，BIOS的DRAMFrequency是最影响内存性能的时序参数。它直接影响记忆的延迟。打开存储行和访问存储列的延迟时间高达1至2小时。