海力士ddr3内存颗粒编号含义

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一、想加个内存条求教海力士内存条型号的各个含义。。第二行是内存的重要参数：4GB是容量，1RX8是“单面”8片芯片，PC3L-12800S-11-12-B4是DDR3L1600低压条，11-12-B4是内存的时序参数，不用担心。不用担心产品工厂编码的第三行。简而言之，单面DDR3L16004GB。

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二、内存颗粒编号问题,请高手指教DDRSDRAM颗粒总数由14组数字或字母组成。每组代表一个重要的记忆参数。理解这一点就像理解现代记忆一样。
粒子数解释如下：
1．HY是HYNIX的缩写，意思是颗粒是现代制造的产品。
2.内存芯片类型：（5D=DDRSDRAM）
3．加工工艺及电源：（V：VDD=3.3V&VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V&VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V&VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V&VDDQ=1.8V）
4.芯片容量密度及刷新率：（64：64M4K刷新；66：64M2K刷新；28：128M4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M4K刷新；12：512M8K刷新；1G：1G8K刷新）
5.记忆棒芯片结构：（4=4芯片，8=8芯片，16=16芯片，32=32芯片）
6．存储体（存储位）：（1=2banks；2=4banks；3=8banks）
7.接口类型：(1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18)
8.内核代号：（空白=第一代；A=第二代；B=第三代；C=第四代）
9.能耗：（空白=正常，L=低功耗）
10．封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F=FBGA；FC=FBGA（UTC：8x13mm））
11.封装堆栈：（空白=常规；S=Hynix；K=M&T；J=其他；M=MCP(Hynix)；MU=MCP(UTC)）
12.包装材料：（空白=普通；P=铅；H=卤素；R=铅+卤素）
13.速度：(D43=DDR4003-3-3；D4=DDR4003-4-4；J=DDR333；M=DDR3332-2-2；K=DDR266A；H=DDR266B；L=DDR200)
14．工作温度：（I=工业常温（-40-85度）；E=扩展温度（-25-85度））
在上面的14条评论中不难发现以下内容。其实，最终我们只需要记住2、3、6、13等数字的实际含义，现代DDRSDRAM内存颗粒就可以让我们轻松识别其产品。特别是第13位数字清楚地告诉消费者该内存的实际峰值运行状态是什么。如果消费者购买了这里标有“L”的产品（即只支持DDR200的工作频率），那么无论内存条或包装盒上的标签多么好，它都只是一个低价产品。产品。
识别常见的SDRAM编号
在维修SDRAM内存条时，首先要了解内存芯片编号的含义。数字包括：制造商名称（代号）、容量、类型、运行速度等。有的有电压，有的有特殊标记。通过分析和比较这些参数，您可以准确地了解和了解内存条的规格和特性。
(1)全球主要存储芯片厂商的前缀表示如下：
▲HYHYUNDAI-----现代
▲MTMicron-----美光
▲GMLG-Semicon
▲HYBSIEMENS------西门子
▲HMHitachi------日立
▲MBFujitsu------富士通
▲TCToshiba------东芝
▲KMSamsung------三星
▲KSKINGMAX------盛创
(2)内存芯片速度数字解释如下：这是可能的。它们是：
标有★-7的SDRAM符合PC143规范，速度为7ns。
标有★–75的SDRAM符合PC133规范，速度为7.5ns。
★标记为-8的SDRAM符合PC125规范，速度为7.5ns。
★标记为-7J/10P/10S的SDRAM符合PC100规范，速度为10ns。/>★——标记为10K的SDRAM符合PC66规范，速度为15ns。
(3)编号格式
HY5abcccddefghii-jj
5a中的a指芯片，表示类型7---SDRAM。;D—DDRSDRAM。
b代表电压，U--2.5V。
CCC代表容量，16-16M。256-256M。
dd代表带宽。
f代表接口0-LVTTL、1-SSTL(3)、2-SSTL_2。
g代表版本号B-第3代。
h表示功耗，L表示低功耗，空格表示普通型。
ii代表封装类型，TC—400milTSOP—H。
jj代表速度，7—143MHZ。
10P—100MHZ(CL=2)10S—100MHZ(CL=3)
10-100MHZ（非PC100）。
示例：1）HY57V651620BTC-75
根据描述，内存模块应为SDRAM，3.3V，64M，133MHZ。
2）HY57V653220BTC-7
根据描述，内存模块应为SDRAM，3.3V，64M，133MHZ。描述：内存模块必须：SDRAM、3.3V、64M、143MHZ
全球主要存储芯片厂商（掌握存储芯片生产技术的厂商主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾）：
序列号品牌国家/地区徽标备注
1韩国三星SAMSUNG
2韩国现代HY
3LG韩国LGS与HY合并
4MicronUSMT
5德州仪器美国Ti与美光合并
6日本NEC
7日立日本HITACHI
8OKI日本OKI
9东芝日本TOSHIBA
10富士通日本F
11西门子德国SIEMENS
12联华台湾UMC
13南亚台湾NANYA
14摩西台湾MOSEI
答案：血玫瑰3109-魔术师5级

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三、内存颗粒参数的含义A部分表示生产颗粒的公司名称-Hynix。
B部分表示内存条的生产日期，以三位阿拉伯数字的形式表示。第一个阿拉伯数字表示生产年份，接下来的两位数字表示该年份的第20周生产。如上，517表示该模块是2005年第17周生产的。
C部分代表内存颗粒的频率和延迟参数。它由1-3个字母和数字组成。根据频率和延迟参数的不同，可以用“D5、D43、D4、J、M、K、H、L”8个字母/数字组合来表示。含义为：D5代表DDR500（250MHz），延迟为3-4-4D43代表DDR433（216MHz），延迟为3-3-3D4代表DDR400（200MHz），延迟为3-4-;4；J代表DDR333（166MHz），延迟为2.5-3-3；M代表DDR266（133MHz），延迟为2-2-2；K代表DDR266A（133MHz），延迟为2-3-3；H代表DDR266B（133MHz），延迟为2.5-3-3；L代表DDR200100MHz），延迟为2-2-2。
部件编号D实际上是由12个小部件组成，分别表示内存模组的容量、颗粒的位宽、工作电压等信息。具体细节如图2所示。