ddr5内存条时序怎么看(ddr5内存时序参数对照表)

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一、到底什么是内存时序？为何都说买内存外行看频率，内行看时序在购买电脑内存时，大多数人都会关注内存容量和频率参数。一般来说，电容越大越好，频率越高越好。当然，这两个参数非常重要，但是还有一个重要的参数大家往往会忽略，那就是内存时序。那么什么是内存时序，它是如何影响内存性能的呢？向德君在这个科普问题上，让这个内存参数为大家所理解。
时序影响存储芯片上各种常见操作之间的延迟。当延迟超过一定限度时，内存性能就会受到影响。简而言之，内存时序描述了内存在执行各种操作时可能遇到的固有延迟。
内存时序以时钟周期为单位进行测量。内存模块的产品页面将显示一系列由破折号分隔的数字，例如16-18-18-38。称为记忆时序。基本上，这些代表延迟，因此时间越短自然越好。这四个数字代表对延迟影响最大的所谓“主要时序”。
内存时序的四个数值对应的参数是CL、tRCD、tRP、tRAS，单位是小时。其中，CL（CASLatency）表示“列地址访问延迟时间，这是时序中最重要的参数”，tRCD（RAStoCASDelay）表示“从存储器行地址到列地址的传输延迟时间”。tRAS(RASActiveTime)代表“内存行地址选通脉冲预充电时间”。
看完以上内容，你是不是更加困惑了？别担心。这是一个简单的例子：
您可以想象内存中的数据以网格形式存储在哪里。每个方块存储不同的数据。当CPU需要数据时，它向内存发出相应的指令。
例如，CPU需要位置C3处的数据。内存收到CPU的指令后，首先要判断数据在哪一行。第二个时序参数tRCD代表这个时间，指的是内存控制器在收到CPU的指令后必须等待的时间量。访问该行之前的行。
一旦内存确定了数据所在的行，如果要检索数据，还必须确定列。时序中的第一个数字是CL，它表示内存确定行数与访问特定列之间的延迟。
确定行数和列数可以使CL准确，因为它可以让您精确定位目标数据。CL是最重要的，因为更改会影响目标数据的位置。定时。对内存性能起决定性作用的参数。
内存时序的第三个参数tRP是确定一行后等待下一行所花费的时间。
第四个参数tRAS，可以简单理解为向内存写入或读取数据的时间。这通常接近前三个参数的总和。
因此，假设稳定性，较低的内存时序更好。然而，我们现在知道许多内存模块都可以超频，而更高的频率通常需要牺牲时序，而如果时序足够低，则提高频率是困难的。频率。例如，今年各大存储厂商发布DDR5内存的频率较高，但时机也比DDR4内存快很多。

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二、内存时序怎么看

工具/材料

AIDA

（1）首先从官网下载AIDA64并安装。执行此操作，然后在线搜索序列号或计算器输入序列号以完成许可证。打开AIDA64

（2）点击主板分支有两个与内存相关的面板：Memory和SPD，内存面板中只显示和使用物理内存和总虚拟内存。信息

(3)在SPD面板中，显示内存硬件信息。如果有多个内存，请在设备详细信息中切换内存模块，下面显示内存型号、生产日期、序列号、访问类型、访问速度、内存时序等。