内存时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数:CL、TRCD、TRP和TRAS,并对器件进行计时。它们通常写为用破折号分隔的四个数字,例如7-8-8-24。第四个参数(RAS)常常被省略,有时会增加第五个参数:Commandrate,通常为2T或1T,也写为2N、1N。
这些参数指定影响随机存取存储器速度的等待时间(延迟时间)。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟,通常以纳秒为单位。内存时序对性能影响较大。
扩展信息:
将内存时序转换为实际延迟时,最重要的是注意它是在时钟周期内。如果不知道时钟周期的时间,就不可能知道一组数字是否比另一组数字快。
例如DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz,时钟周期为1ns。基于这个1ns时钟CL=7给出7ns的绝对延迟。更快的DDR3-2666(时钟1333MHz,每周期0.75ns)可以使用更大的CL=9,但最终得到的6.75ns绝对延迟更短。
现代DIMM包括串行存在检测(SPD)ROM芯片,其中包含用于自动配置的推荐内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能(冒着降低稳定性的风险),或者在某些情况下提高稳定性(例如使用推荐的时序)。
注意:内存带宽是内存吞吐量的衡量标准,通常受到传输速率而不是延迟的限制。通过交叉存取多个SDRAM内部存储体,可以以峰值速度续传输。增加带宽可能会以增加等待时间为代价。具体来说,每一代新一代DDR内存都具有更高的传输速率,但绝对延迟并没有显着变化,尤其是市场上的第一批新一代产品,通常比上一代具有更长的延迟。
即使内存延迟增加,增加内存带宽也可以提高具有多个处理器或多执行线程的计算系统的性能。更高的带宽还将提高没有专用视频内存的集成显卡的性能。
参考资料:-内存时序
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