内存条时序有几个(内存时序是哪四个)

低内存时间是好的。

内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期节奏。它们通常写为由连字符分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）通常省略，有时会加上第五个参数Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数指定影响随机存储器访问速度的延迟（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：访问列地址的延迟时间是时间中最重要的一个参数。

tRCD(RAStoCASDelay)：将内存行地址传输到列地址的延迟时间只是一个估计值，这就是为什么稍微改变这个值不会显着改变它的内存性能。

tRP(RASPrechargeTime)：存储器行地址处的闪存脉冲再充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址被激活的时间，可以简单理解为向内存写入或读取数据所花费的时间。一般来说，它接近前三个参数的总和。