内存时序越小越好(3200内存时序22 22 22 52)

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一、内存的时序越低越好吗？

低内存时序是好的。

存储器时序是描述同步动态随机存取存储器(SDRAM)性能的四个参数CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。它们通常写为用连字符分隔的四个数字，例如例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数表示影响RAM速度的延迟（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL（CASLatency）：列地址访问的延迟时间是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间只是一个估计值，因此该值的微小变化不会显着改变内存的性能。

tRP（RASPrechargeTime）：存储线地址选通脉冲的预充电时间。

tRAS（RASActiveTime）：行地址被激活的时间，可以简单理解为向内存写入或读取数据的时间。它一般接近于前三个参数的总和。

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二、内存时序里面的时钟是什么意思数值怎么看越大越好还是越小越好？我的这内存如何？里面的时钟显示了DDR3中的时钟数量，没有时钟是1.25ns，13个时钟是延迟16.25ns。
所以这个价格越低越好。
你的DDR332GB1866Mhz内存
1866内存中默认的键值为CL-TRCD-TRP(13-13-13)，
所以只能说你的内存满足要求，好不好，需要用软件来测试它的性能。