内存时序怎么看好不好(内存条cl值是大好还是小好)

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一、内存时序高低有什么区别？

低内存计时是好的。

内存时序是代表SDRAM（同步动态随机存取存储器）性能的四个参数CL、TRCD、TRP、TRAS，单位是时钟周期。它通常写为由破折号分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）常被省略，有时会加上第五个参数Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N或1N。

这些参数指定延迟（latency），它影响随机存取存储器的速度。较低的数字通常会带来更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

内存时序参数介绍

CL(CASLatency)：列地址访问的延迟是时序中最重要的参数。

tRCD（RAStoCASDelay）：内存行地址传输到列地址的延迟时间。由于tRCD只是一个估计值，因此对该值的微小更改不会显着改变内存性能。

tRP(RASPrechargeTime)：存储器行址选通脉冲预充电时间。

tRAS(RASActiveTime)：行地址处于活动状态的时间，简单理解为向内存写入或读取数据的时间，通常接近前三个参数的总和。

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二、小白求问，内存时序怎么看好坏一般用户关注的是内存时序的频率。频率越高越好（当然主板和CPU支持）DDR3的频率为800-1600MHZ，DDR4的频率为1600-2666MHZCAS-TRCD等延迟，9-9-9表示CAS9时钟轮子越小越好，里面有很多细节。

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三、ddr3内存时序参数怎么看

TRFC值属于第二个小参数，值越小单位越好。

DDR3内存值通常在90到120之间。低于80可能会变得不稳定。CL、tRCD、tRP、tRAS被称为第一定时，对粒子性能影响最明显、最重要。

首先，内存时序（英文：Memorytimings或RAMtimings）是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数（CL、TRCD、TRP、TRAS），其单位为时钟周期。

可见，计算机要正常运行，对各种运行信号的产生时间、稳定时间、释放时间以及相互关系都有着严格的要求。对操作信号进行时间控制称为时序控制。只有严格的时序控制才能保证各种功能部件有机组成的计算机系统。

扩展信息：

影响内存时序的因素：

将内存时序转换为实际延迟时，最重要的是请注意点。单位是时钟周期。如果不知道时钟周期时间，就不可能知道一组数字是否比另一组快。

例如，DDR3-2000内存的时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。基于这个1ns时钟，CL=7给出7ns的绝对延迟。更快的DDR3-2666（1333MHz时钟，每周期0.75ns）可能会使用更大的CL=9，但产生的绝对延迟将小于6.75ns。

现代DIMM包含串行存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含用于自动配置的推荐内存时序。PC的BIOS允许用户调整时序以提高性能（冒着降低稳定性的风险），并在某些情况下提高稳定性（例如使用推荐的时序）。

注意：内存带宽是内存吞吐量的衡量标准，通常受传输速度而非延迟的限制。对SDRAM多个内部存储体的交叉访问允许以峰值速率连续传输。增加带宽可能会以增加延迟为代价。具体来说，虽然每一代新一代DDR内存的传输速度都在提高，但绝对延迟基本保持不变。新一代产品，尤其是那些首先上市的产品，通常比前代产品具有更高的延迟。

增加内存带宽可以提高具有多个处理器或多执行线程的计算机系统的性能，即使内存延迟增加也是如此。更高的带宽还可以提高不使用专用视频内存的集成显卡的性能。

参考来源：-内存时序

参考来源：-时序控制