内存cas延迟啥意思

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一、内存的CL值是什么？

CL代表CASLatency，它是内存性能的重要指标，是内存纵向地址脉冲的响应时间。

当计算机需要从内存中读取数据时，在实际读取之前通常会有一个“缓冲期”，“缓冲期”的长度就是这个CL。

内存延迟表示系统在进入数据访问操作的就绪状态之前等待内存响应的时间，通常用四个连续的阿拉伯数字表示，例如“3-4-4-8”。”。第一个数字表示内存读取数据所需的延迟，通常称为CL值。

CL设置较低的内存

具有较高的优势，这可以体现在总延迟上。内存总延迟时间有一个计算公式：总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+访问时间（tAC）。

访问时间（tAC）的概念，tAC代表AccessTimefromCLK，是指最大CAS延迟时输入时钟的最大数量，以纳秒为单位测量，与Concept时钟周期内存完全不同，尽管这一切都是以纳秒为单位。访问时间（tAC）代表读写时间，而时钟频率代表内存速度。

以上内容参考：-内存延迟

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二、加个内存，两条内存的cas延迟不一样，不会有什么影响吧，请高手解答这个原理，cas干什么的，已经上图全称是：CASLatency
列地址的强脉冲时间延迟，CL响应时间是某个内存存在的另一个标志。CL是CASLatency的缩写，指内存访问数据所需的延迟时间。简单来说，就是内存接收CPU指令后的响应速度。一般参数值为2和3。数字越小，反应时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个值被规定为3。但是，在Intel制定的新规范中，CL响应时间必须为2。这会在一定程度上影响内存制造商的芯片和二进制组装工艺PCB要求比较高，同时保证更好的质量。因此，这是购买品牌内存时不可忽视的一个因素。

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三、内存CAS延迟时间是什么意思？

指内存时序。

内存的CASLatency（简称CL）CAS延迟是内存的重要参数之一。有些品牌的内存在内存模块标签上印有CL值。RAS-to-CASDelay(tRCD)，将内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row-prechargeDelay(tRP)，存储器行地址选通脉冲的预充电时间。

Row-activeDelay（tRAS），内存行地址选通延迟，内存时序与内存读写性能有关。理论上，内存同步越低越好，但假设情况确实如此。确保稳定运行。

扩展信息

内存时序

本质上，时序只是描述内存性能的一个参数：CL、TRCD、TRP和特拉斯。通常用阿拉伯数字表示，如上：19-22-22-43。CL对内存性能的影响最为明显。通常，DDR4内存的CL值在15左右，DDR3内存的CL值在5到11之间。

在这四组数字中，第四组有时会被忽略。一般来说，这些数字代表内存延迟。通常，数字越低越好。