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内存超频只超时序

内存
2024-09-01 22:05:57
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一、内存超频的时序问题

是的！时序越低越好，但要看频率，当内存超频时，时序会增加。 DDR2的5-5-5-15可以超频到800Mhz，800Mhz也有这个时序作为标准。

DDR标准时序3-3-3-9-2T（400Mhz）

DDR2标准时序5-5-5-15-2T（800Mhz）

DDR3标准时序9-9-9-27-1T（1600Mhz）

1T和2T的区别相反，1T延迟较小，速度高，稳定性低。 2T具有高延迟、低速度、高稳定性的特点。

DDR3的1T基本稳定，标准就是1T。 DDR2在使用1T时会出现假死或蓝屏，稳定性较低。

还有内存NB频率，值越高，内存效率越高。但等级越高，就越不稳定。

我使用 DDR3 1333Mhz 超频至 2000Mhz，并将时序延长至 11-11-11-28-80-1T。双通道稳定，没问题。频率越高，带宽数据越大。

内存超频的人比较少，一般都是CPU玩家超频，不考虑内存时序。因此，在超频之前，必须先对内存进行超频。

二、内存计时算作开销吗？

严格来说，是的。对默认值进行的任何更改都被视为过载。
一般来说，超频就是超过原来的频率。仅适用于CPU。

三、提高内存速度是不按高时序好还是按低时序好？

要提高内存的运行速度，如何调整内存电压和时序，使内存稳定运行在更高的频率？ ">四、现在内存时序是否更低、更好超频？高频率和低时序是相互冲突的。一般来说，当频率增加时，时序就不得不牺牲今年的储蓄生产者。
2. 时序对性能的影响仅为 45%。起来，不然就浪费钱了。
3. 时间并不重要，性能差异也不大，特别是频率是240021331600。
4．当然，内存Timing越低越好Timing意味着延迟一般DDR2533官方SPD参数是44412，DDR2667是55515。一般只有AMD主板可以设置为1T或2T。但双通道模式下最好设置为2T，避免内存不稳定。 5. 主要看电压如果CPU超频了，内存一般会下降一点如果电压不够，如果不行的话，在bios设置里加点电压。尝试比01v高一点如果稳定的话就可以了我真的不建议超频，因为如果你不超限玩的话你不会看到性能提升，而且可能会。甚至损坏硬件，这是可悲的。 6. 计时越小，响应时间越快，但这种差异是以毫秒为单位测量的，在使用过程中你感觉不到它。从制造商装配线上下来的内存颗粒已经过测试并用于制造铂金。超频带或带比普通带贵。 7. CL44412，标记是这样的，不过一般800M上频率是55515。667M上可能是44412。智器DDR2800CL55515应该不错。内存800M，频率时序44412。
8．理论上，同代内存时序越低，性能越强，超频空间越大，随着内存频率越高，时序在不同级别的DDR时代都会有所提升，默认1G时序通常为3338。，根据，现在最新的DDR4时序已经增加到16161635。 9. 后者是显存频率和显存频率显存时序共同作用的结果。越高越好，时间越低越好，但是两者兼得并不现实，因为每个人都可以看到。 10. 时序就是内存延迟下层想到高频内存模块，往往很难控制时序，所以高频内存和低时序通常比较贵图中左边的频率较低，但时序却是更好右边的频率较高，时序稍差综合性能来看，右边的更好，考虑到价格。 11. TRFC的值属于第二个小参数，它表示Unit re-interval period的值较小，DDR3内存通常值为90120 80，它会导致CLtRCDtRP和tRAS的不稳定，称为第一个定时器最明显对粒子性能的影响，其中最重要的是内存时序。
12. 所有程序都对内存延迟非常敏感，例如多媒体编解码、图像渲染以及对物理影响较大的游戏。 13. 内存时序参数一般缩写为 2226111T 其各自的格式表示 CASTRCDtRPtRASCMD 值 2226111T 中的最后两个时序参数，分别代表 tRAS 和 CMDCommand，属于比较复杂的。参数目前市场上对参数的了解是有的。
14 时序越低越好，但是要看内存超频时的频率，时序应该从DDR2 800Mhz的时间增加到55515也是这个时序。默认 DDR 定时器为 33392T400MhzDDR2。 15. 如果你的电脑的显卡和CPU没有配备最高端的显卡，就没有必要购买高频内存条，尤其是即使显卡和CPU配备的是最高端的配置，买一条高频内存模块只能将帧率提高十几倍左右。 16. 不是，DDR800是6_6_616你觉得比1600好吗只能说同频延迟时间更小。 17. 当然，低时比CL11要好。第二个问题是1600比延迟更重要，因为1333的带宽低。

要提高内存的运行速度，如何调整内存电压和时序，使内存稳定运行在更高的频率？ ">四、要提高内存的运行速度，如何调整内存电压和时序，使内存稳定运行在更高的频率？

当频率为主要因素时，应适当调整cl值。如果不稳定，可以增加总值（四个计时元素中的最后一个）。设置到最大基频后，可以尝试将电压提高到更高的频率1.65V和DDR4 0.5V。一般是频率值增加一级（每级大约相距266MHz），cl值增加一级。（同样的内存也是如此。）比如ddr31600mhzcl9一般超频到2133mhzcl11，当然也可以超频到1866mhzcl10。 (1600-1866-21339-10-11) 如果较高，可以尝试提高电压。
当然，最重要的还是身体的问题。目前最好使用三星的b-die芯片内存，比如3000MHz CL14，其次是3000MHz CL16。最好的ddr3是美光的1600mhz、cl8、1.35v。当超频到2133mhz（1.5v时）时，只有cl9，非常强大。