内存cl值怎么调(内存cl值15对比19)

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一、BIOS中CL值怎么设置CL=CASLatency
内存列延迟时间的设置。通常设置为2或3。但是，对于性能较差的内存，将其设置为3更好。它更安全，但否则更容易发生崩溃。
具体位置好像是在BIOSFeature什么的，不过我忘记了。

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二、给内存超频，怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行？当频率为主要因素时，应适当调整cl值。如果不稳定，可以增加总值（四个计时项中的最后一项）。调整到基本最大频率后，可以尝试将电压提高到更大的频率。DDR3为1.65v，DDR4为0.5v。一般频率值增加一级（每级大约相距266mhz），cl值增加1。（同样的内存也是如此。）比如ddr31600mhzcl9内存一般超频到2133mhzcl11，但当然也可以超频到1866mhzcl10。(1600-1866-21339-10-11)如果较高，可以尝试提高电压。
当然，最重要的还是身体问题。目前最好使用三星b-die芯片内存，比如3000mhz频率的cl14，其次是3000mhzcl16。最好的ddr3是美光的1600mhz、cl8、1.35v。当超频到2133mhz（1.5v时）时，只有cl9，相当强大。

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三、内存时序调节教程内存时序调整是一种通过调整内存访问时序参数来提高计算机内存性能的技术，可以提高读写速度和内存响应时间。这是设置内存时序的基本教程。
1.了解内存时序参数
ency（CL）：表示内存读取数据所需的延迟周期数。较低的CL值意味着更快的读取速度。
ASDelay(tRCD)：表示从行标题切换到列标题所需的延迟周期数。较低的tRCD值意味着更快的存储器读写速度。
chargeTime（tRP）：表示预充电行地址后，在切换下一个行地址之前等待的延迟周期数。较低的tRP值意味着更快的内存读写速度。
iveTime（tRAS）：表示内存行激活后应维持的时间段数。tRAS值越低意味着内存访问效率越高。
2.调整内存时序参数的步骤
1.进入电脑BIOS设置界面。一般开机时按Del或F2即可进入BIOS。
2.查找与内存相关的设置选项，通常在“高级”或“超频”选项中。不同制造商和型号的主板可能会有所不同。
3.根据内存型号和规格设置相应的时序参数。一般来说，您可以选择自动、手动或XMP模式。如果您有超频需求，可以选择手动模式进行更细致的调整。
4.将CL、tRCD、tRP、tRAS值一一调整，然后保存设置并重启电脑。
5.使用操作系统中的内存测试工具，如Memtest86，测试内存的定性和性能。如果没有出现错误并且性能有所提高，则修改成功。
3.注意事项
1.调整内存时序参数可能会导致计算机变得不稳定或无法启动。建议提前备份重要数据。
2.不同型号、品牌的内存可能对时序参数的支持和稳定性不同，需要根据实际情况进行调整。
3.超频可能会提高内存性能，但也会增加系统稳定性的风险，所以要小心。
4.如果您对BIOS设置不熟悉或者对电脑硬件不太了解，建议寻求专业人士的帮助。
这是一个设置内存时序的基础教程，希望对您有用。如果您还有其他问题，请随时提问。