ddr4内存时序c19和C16(ddr4 内存时序表)

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一、内存时序是什么？对性能影响大吗？

内存时间是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位是时钟周期。它们通常写为由连字符分隔的四个数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，有时会增加第五个参数：Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N、1N。

这些参数指定影响随机存取存储器速度的延迟（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的最后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。内存时间对性能影响较大。

扩展信息：

将内存时间转换为实际延迟时，最重要的是注意：它是顺时针方向。如果不知道时钟周期时间，就不可能知道一组数字是否比另一组快。

例如，DDR3-2000内存时钟频率为1000MHz，时钟周期为1ns。基于这个1ns时钟，CL=7给出7ns的绝对延迟。更快的DDR3-2666（1333MHz时钟，每个周期0.75ns）可以使用更大的CL=9，但最终产生的6.75ns绝对延迟较短。

现代DIMM包含串行存在检测(SPD)ROM芯片，其中包含自动配置的推荐内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（冒着降低稳定性的风险），或者在某些情况下提高稳定性（例如使用推荐的时序）。

注意：内存带宽是内存吞吐量的衡量标准，通常受传输速度而非延迟的限制。通过交叉存取多个SDRAM内部存储体，可以以最大速率连续传输。增加带宽可能会以增加延迟为代价。具体来说，每一代新一代DDR内存都具有更高的传输速度，但绝对延迟并没有显着变化，尤其是市场上新一代的首批产品，通常比上一代具有更长的延迟。

即使内存延迟增加，增加内存带宽也可以提高具有多个处理器或多线程执行的计算机系统的性能。更高的带宽还将提高没有专用视频内存的集成显卡的性能。

参考资料：-记忆时代

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二、如何查看内存时序内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP、TRAS，单位是时钟周期。它们通常写为用连字符分隔的四个数字，如上所示，16-18-18-36。
第四个参数经常被省略，有时会增加第五个参数：Commandrate，通常为2T或1T，也写为2N、1N。这些参数指定了随机性的影响。存储内存速度的数值越低通常意味着性能越快，因此越小越好，通常以纳秒(ns)为单位。
各种数值
在这四组数字中，第一组CL数字（即第一组）对内存性能的影响最为明显，因此很多产品都标注了产品名称上的内存CL值。一般DDR4内存的第一组值在15左右浮动，但DDR3内存的值在5到11之间，最后三组值也比DDR4内存小。也就是说，在相同频率下，DDR3内存比DDR4速度更快（笔者并不否认DDR4）。
讲完了时间序列中四组数字的定义，那么在购买产品时如何运用这些小知识呢？让我举一个例子。例如，的2400MHzDDR4内存的时序为17-17-17-39，而2666MHz内存的时序为19-19-19-43。实际测试中，内存频率为19-19-19-43。2666MHz虽然更高，但因为同步值也高，所以没有性能优势。所以，大家在选择内存的时候，既关注频率，也要注重时序。如果频率相同，则应选择时序较低的产品。关于时序，在超频内存时也可以通过手动超频来减少时序。很多厂商也会推出超频版本供爱好者选择。