内存超频需要调整时序么(2666内存超频3000时序设置)

---

一、4条内存超频时序要放宽吗放松
1。DDR4内存时序参数3200(16)8G×16，CL16-16-161.35V比较好，默认是DDR42133，1.2V，安装XMP会直接提升频率到DDR4320016-16-16-362T，最大电压在频率为1.35V;
2如果ddr4内存第一次不动，第一次尽量不要动，通过第二次放大，tRFC和tREF一般可以达到高频，ddr4内存不同于ddr4和ddr42内存，超频后适当提高稳定性是可以的，尽量避免为了高频而牺牲tRRD，不建议第三次为了高频而牺牲tRDRD和tWRWR。

---

二、给内存超频，怎样调整内存电压和时序可以使内存在更大的频率下稳定运行？如果频率是主要因素，并且cl值不稳定，可以增加总值（这是四个计时项中的最后一个）。调整到基本最大频率后，您可以尝试将DDR3的电压提高到1.65v，DDR4的电压提高到0.5v。一般情况下，频率值增加1步（每步相距约266mhz），cl值增加1。（这也适用于相同的内存。）例如，ddr31600mhzcl9内存通常超频到2133mhzcl11，但当然也可以超频到1866mhzcl10。(1600-1866-21339-10-11)如果高于该值，请尝试增加电压。
当然，最主要的还是身体问题。目前，最好使用三星B-die芯片内存，例如3000MHz频率CL14，然后是3000MHzCL16。最好的ddr3是Micron的1600mhz、cl8、1.35v，如果你超频到2133mhz（1.5v），你只能得到非常强大的cl9。